頻繁的信號翻轉(zhuǎn)會造成很大的短路電流，以及對負載電容進行頻繁的充放電，即增大...頻繁的信號翻轉(zhuǎn)會造成很大的短路電流，以及對負載電容進行頻繁的充放電，即增大所謂的內(nèi)部功耗（Internal Power）和切換功耗（Switch Power）。在現(xiàn)代數(shù)字集成電路...
功耗的本質(zhì)是能量耗散。由能量守恒定律可知，能量只能從一種形式轉(zhuǎn)成另一種形式...功耗的本質(zhì)是能量耗散。由能量守恒定律可知，能量只能從一種形式轉(zhuǎn)成另一種形式，能量的總量不變。芯片耗散的電能主要轉(zhuǎn)化成熱能。如果一顆芯片的功耗過大，容易導(dǎo)...
減少柵極充電的峰值電壓，當柵極的電壓拉高，首先對柵極的寄生電容進行充電，I...減少柵極充電的峰值電壓，當柵極的電壓拉高，首先對柵極的寄生電容進行充電，I=Q/t。充電的峰值電流可能大于GPIO的輸出能力，為了保護IC,添加R25之后，可能有效的...
(1) 用邏輯圖寫表達式：可以從輸入到輸出逐級推導(dǎo)，寫出電路輸出端的邏輯表達式...(1) 用邏輯圖寫表達式：可以從輸入到輸出逐級推導(dǎo)，寫出電路輸出端的邏輯表達式。 (2) 化簡表達式：在需要時，用分式化簡法或者卡諾圖化簡法將邏輯表達式化為最簡...
當5V沒接入時，PMOS管的柵極通過電阻R1下拉到地（0V），鋰電池BAT（3.7~4.2V）...當5V沒接入時，PMOS管的柵極通過電阻R1下拉到地（0V），鋰電池BAT（3.7~4.2V）通過MOS管的內(nèi)部體二極管到達源極，源極電壓為（3~3.5）V，此時Ugs為（-3.5）V到（-...
