PMOS管-3.5A-20V KIA2305產(chǎn)品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.055Ω@VGS=-4.5V,ID=-3...PMOS管-3.5A-20V KIA2305產(chǎn)品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.055Ω@VGS=-4.5V,ID=-3.5A VDS=-20V,R DS(on)=0.075Ω@VGS=-2.5V,ID=-3.0A VDS=-20V,R DS(on)=0.095Ω@V...
為提高大功率電源SiP 效率，一般將傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)電源拓?fù)渲械睦m(xù)流二極管同步MOSFET ...為提高大功率電源SiP 效率，一般將傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)電源拓?fù)渲械睦m(xù)流二極管同步MOSFET 取代形成如圖1 所示的同步開(kāi)關(guān)電源拓?fù)洌? 個(gè)MOSFET Q1 和Q2 形成半橋結(jié)構(gòu)。MOSFET ...
KIA3423采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供卓越的RDS，低柵極充電門極電壓低至2.5V。該器...KIA3423采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供卓越的RDS，低柵極充電門極電壓低至2.5V。該器件適合用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或用于脈寬調(diào)制應(yīng)用。KIA3423是不含鉛（符合ROHS和Sony 259規(guī)范...
尖峰電流的形成： 數(shù)字電路輸出高電平時(shí)從電源拉出的電流Ioh和低電平輸出時(shí)灌...尖峰電流的形成： 數(shù)字電路輸出高電平時(shí)從電源拉出的電流Ioh和低電平輸出時(shí)灌入的電流Iol的大小一般是不同的，即：Iol＞Ioh。以下圖的TTL與非門為例說(shuō)明尖峰電流...
該電路由CD4060 組成定時(shí)器的時(shí)基電路，由電路產(chǎn)生的定時(shí)時(shí)基脈沖，通過(guò)內(nèi)部分...該電路由CD4060 組成定時(shí)器的時(shí)基電路，由電路產(chǎn)生的定時(shí)時(shí)基脈沖，通過(guò)內(nèi)部分頻器分頻后輸出時(shí)基信號(hào)。在通過(guò)外設(shè)的分頻電路分頻，取得所需要的定時(shí)控制時(shí)間。
