MOS管在功率放大電路中具有高頻響應快、導通損耗低和驅動效率高等核心優勢；廣...MOS管在功率放大電路中具有高頻響應快、導通損耗低和驅動效率高等核心優勢；廣泛應用于專業音響系統、舞臺設備、汽車電子和射頻功率放大等領域。 1.高效率與大功...
當漏源短接時測得的柵極到源極之間的總電容，它等于柵源電容Cgs加上柵漏電容Cg...當漏源短接時測得的柵極到源極之間的總電容，它等于柵源電容Cgs加上柵漏電容Cgd。這個參數對于驅動電路的設計至關重要，因為它決定了驅動器需要提供的最大充電電流...
KNF6145A場效應管漏源擊穿電壓450V，漏極電流10A，采用專有新型平面技術制造，...KNF6145A場效應管漏源擊穿電壓450V，漏極電流10A，采用專有新型平面技術制造，極低導通電阻RDS（ON）0.39Ω（典型值），最大限度地降低導通電阻，超低柵極電荷，減...
步進電機控制器通過發出脈沖信號來驅動步進電機，實現對電機轉動角度、速度和方...步進電機控制器通過發出脈沖信號來驅動步進電機，實現對電機轉動角度、速度和方向的精確控制，是一種專門用于控制步進電機運行的設備。
碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）的工作頻率可達1MHz甚至更高，高頻特性顯著優于傳統...碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）的工作頻率可達1MHz甚至更高，高頻特性顯著優于傳統器件。
