肖特基勢壘二極管（SBD），屬于金屬-半導體結電子器件，由金屬層（金/鉬/鎳/鈦...肖特基勢壘二極管（SBD），屬于金屬-半導體結電子器件，由金屬層（金/鉬/鎳/鈦等）與N型半導體（硅/砷化鎵）形成肖特基勢壘接觸。
KCX050N08N場效應管漏源擊穿電壓85V，漏極電流120A ，采用先進的MOS技術制造，...KCX050N08N場效應管漏源擊穿電壓85V，漏極電流120A ，采用先進的MOS技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 4.6mΩ，卓越的QgxRDS（on）產品（FOM），減少開關損耗，提高...
高頻開關電源通過高頻變換實現高效率電能轉換，高頻開關電源是由輸入濾波、整流...高頻開關電源通過高頻變換實現高效率電能轉換，高頻開關電源是由輸入濾波、整流濾波、高頻變換、輸出整流濾波和控制電路組成。
光耦817通過光信號實現輸入和輸出之間的電氣隔離。光耦817內部包含一個發光二極...光耦817通過光信號實現輸入和輸出之間的電氣隔離。光耦817內部包含一個發光二極管（LED）和一個光電晶體管，當LED發光時，光電晶體管會感應到光信號并導通，從而實...
KCX040N10N場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流120A ，采用先進的MOS技術制造，...KCX040N10N場效應管漏源擊穿電壓100V，漏極電流120A ，采用先進的MOS技術制造，極低導通電阻RDS(開啟) 3.6mΩ，卓越的QgxRDS（on）產品（FOM），減少開關損耗，提...
