KCT1004M場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V, 漏極電流320A ，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，高壓器...KCT1004M場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V, 漏極電流320A ，采用先進(jìn)的SGT技術(shù)，高壓器件新技術(shù)，低導(dǎo)通電阻和低傳導(dǎo)損耗，性能優(yōu)越；?極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 0.62mΩ，超...
在電路中，MOS管的開啟電壓（通常指的是閾值電壓）決定了MOS管從截止?fàn)顟B(tài)到導(dǎo)通...在電路中，MOS管的開啟電壓（通常指的是閾值電壓）決定了MOS管從截止?fàn)顟B(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)所需的柵源電壓（VGS）的最小值。對(duì)于NMOS管，當(dāng)VGS大于Vth時(shí)，管子開始導(dǎo)通。...
場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制器件(晶體管是電流控制器件)，有很高的輸入阻抗，較大的...場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制器件(晶體管是電流控制器件)，有很高的輸入阻抗，較大的功率增益，由于是電壓控制器件所以噪聲小。FET是根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放...
KNP2908C場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V, 漏極電流130A ，采用KIA的先進(jìn)技術(shù)制造，極...KNP2908C場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V, 漏極電流130A ，采用KIA的先進(jìn)技術(shù)制造，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，低柵極電荷（典型值182nC)，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，...
ao3400場(chǎng)效應(yīng)管代換型號(hào)?KIA3400漏極電流4.8A，漏源擊穿電壓30V，采用先進(jìn)的溝...ao3400場(chǎng)效應(yīng)管代換型號(hào)?KIA3400漏極電流4.8A，漏源擊穿電壓30V，采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟)、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作，減少開關(guān)損...
