KCD2908A場效應管漏源擊穿電壓85V，漏極電流130A，采用先進的SGT技術設計，極低...KCD2908A場效應管漏源擊穿電壓85V，漏極電流130A，采用先進的SGT技術設計，極低導通電阻RDS(on) 3.7mΩ，出色的柵極電荷，可最大限度地減少導電損失，高效低耗；具...
NPN 晶體管 2N3055 用于打開第 I 組藍色 LED，而 PNP 晶體管 2N2905 用于打開第...NPN 晶體管 2N3055 用于打開第 I 組藍色 LED，而 PNP 晶體管 2N2905 用于打開第 II 組紅色 LED。當基極施加超過 0.7V 的正 V 且電流進入基極時，NPN 晶體管導通。...
無線充電的實現通常需要兩個線圈，一個是置于充電平臺中的發射線圈，另一個是置...無線充電的實現通常需要兩個線圈，一個是置于充電平臺中的發射線圈，另一個是置于電子設備內的接收線圈。當一個變化的電流通過充電平臺的發射線圈時，線圈內會產生...
大功率場效應管KNP6140S漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，專為高壓、高速功率開...大功率場效應管KNP6140S漏源擊穿電壓400V，漏極電流11A，專為高壓、高速功率開關應用設計；極低導通電阻RDS(on)=0.53Ω，低柵極電荷15.7nC，可最大限度地減少導電...
MMBT5401高壓PNP雙極晶體管，該器件設計為通用放大器和開關，用于需要高電壓的...MMBT5401高壓PNP雙極晶體管，該器件設計為通用放大器和開關，用于需要高電壓的應用。采用SOT-23封裝，專為低功耗表面貼裝應用而設計。
