KCD9310A場效應管采用SGT MOSFET技術(shù)制造，漏源擊穿電壓100V，漏極電流42A；專...KCD9310A場效應管采用SGT MOSFET技術(shù)制造，漏源擊穿電壓100V，漏極電流42A；專有新型平面技術(shù)，提供優(yōu)異的RDSON和柵極電荷；低導通電阻RDS(開啟) 15mΩ，超低柵極...
從上圖中可以看出，補償變壓器低壓側(cè)的線圈串聯(lián)在穩(wěn)壓器的主回路中，所以這種穩(wěn)...從上圖中可以看出，補償變壓器低壓側(cè)的線圈串聯(lián)在穩(wěn)壓器的主回路中，所以這種穩(wěn)壓器輸出的能量主要是通過補償變壓器的低壓側(cè)線圈直接給輸出負載的，只要把補償變壓...
開關(guān)電源的工作原理是通過開關(guān)管的開關(guān)動作，將輸入電壓切換為高頻脈沖信號。這...開關(guān)電源的工作原理是通過開關(guān)管的開關(guān)動作，將輸入電壓切換為高頻脈沖信號。這個高頻脈沖信號經(jīng)過變壓器或電感器的變換和濾波電路的處理，最終得到穩(wěn)定的直流輸出...
逆變器專用?MOS管KNP9130B采用專有新型平面技術(shù)，漏源擊穿電壓300V，漏極電流...逆變器專用?MOS管KNP9130B采用專有新型平面技術(shù)，漏源擊穿電壓300V，漏極電流40A，低導通電阻RDS(開啟) 0.12Ω；具有低柵極電荷、快速恢復體二極管等特性，能夠在...
圖中R1和R2為分壓電阻，使MOS管Q2的Vgs電壓固定為12V.ZD1為穩(wěn)壓二極管，防止輸...圖中R1和R2為分壓電阻，使MOS管Q2的Vgs電壓固定為12V.ZD1為穩(wěn)壓二極管，防止輸入電壓波動時，Q2的Vgs電壓超過限制，保護MOS管。
