mos管柵極電阻的作用-電阻在MOS電路中注意事項及參考選擇方法-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2018-12-27
在了解mos管柵極電阻的作用之前，我們先了解一下mos管柵極及其他2個極的基礎(chǔ)知識。場效應(yīng)管根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件，有3個極性，柵極，漏極，源極，它的特點是柵極的內(nèi)阻極高，采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐，屬于電壓控制型器件。場效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。
1.判斷柵極G
MOS驅(qū)動器主要起波形整形和加強驅(qū)動的作用:假如MOS管的G信號波形不夠陡峭，在點評切換階段會造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉(zhuǎn)換效率，MOS管發(fā)燒嚴(yán)峻，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容，假如G信號驅(qū)動能力不夠，將嚴(yán)峻影響波形跳變的時間.
將G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。若發(fā)現(xiàn)某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大，并且交換表筆后仍為無限大，則證實此腳為G極，由于它和另外兩個管腳是絕緣的。
2.判斷源極S、漏極D
將萬用表撥至R×1k檔分別丈量三個管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因為測試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。
3.丈量漏-源通態(tài)電阻RDS（on）
在源-漏之間有一個PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W,大于0.58W（典型值）。
在此mos管電路中，在其柵極處連接了兩個電阻，R38,R42。
mos管柵極電阻的作用-電阻R38：
1：減緩Rds從無窮大到Rds(on)(一般0.1歐姆或者更低)。
2：若不加R38電阻，高壓情況下便會因為mos管開關(guān)速率過快而導(dǎo)致周圍元器件被擊穿。但R38電阻過大則會導(dǎo)致MOS管的開關(guān)速率變慢，Rds從無窮大到Rds（on）的需要經(jīng)過一段時間，高壓下Rds會消耗大量的功率，而導(dǎo)致mos管發(fā)熱異常。
mos管柵極電阻的作用-R42電阻：
1：作為泄放電阻泄放掉G-S的少量靜電，防止mos管產(chǎn)生誤動作，甚至擊穿mos管（因為只要有少量的靜電便會使mos管的G-S極間的等效電容產(chǎn)生很高的電壓），起到了保護(hù)mos管的作用。
2：為mos管提供偏置電壓
MOS管驅(qū)動電阻怎么選擇，給定頻率，MOS管的Qg和上升沿怎么計算用多大電阻首先得知道輸入電容大小和驅(qū)動電壓大小，等效為電阻和電容串聯(lián)電路，求出電容充電電壓表達(dá)式，得出電阻和電容電壓關(guān)系圖MOS管的開關(guān)時間要考慮的是Qg的，而不是有Ciss，Coss決定，看下面的Data.
一個MOS可能有很大的輸入電容，但是并不代表其導(dǎo)通需要的電荷量Qg就大，Ciss（輸入電容）和Qg是有一定的關(guān)系，但是還要考慮MOS的跨導(dǎo)y.
泄放電阻和柵極電阻有什么區(qū)別？
場效應(yīng)管柵極與源極之間加一個電阻，這個電阻起到什么作用？
一是為場效應(yīng)管提供偏置電壓;二是起到瀉放電阻的作用：保護(hù)柵極G-源極S;
第一個作用好理解，這里解釋一下第二個作用的原理——保護(hù)柵極G-源極S：場效應(yīng)管的G-S極間的電阻值是很大的，這樣只要有少量的靜電就能使他的G-S極間的等效電容兩端產(chǎn)生很高的電壓，如果不及時把這些少量的靜電瀉放掉，他兩端的高壓就有可能使場效應(yīng)管產(chǎn)生誤動作，甚至有可能擊穿其G-S極;這時柵極與源極之間加的電阻就能把上述的靜電瀉放掉，從而起到了保護(hù)場效應(yīng)管的作用。
看一個具體的例子：MOS管在開關(guān)狀態(tài)工作時，Q1、Q2是輪流導(dǎo)通，MOS管柵極在反復(fù)充、放電狀態(tài)，如果在此時關(guān)閉電源，MOS管的柵極就有兩種狀態(tài)：一種是放電狀態(tài)，柵極等效電容沒有電荷存儲;另一個是充電狀態(tài)，柵極等效電容正好處于電荷充滿狀態(tài)，如下圖a所示。雖然電源切斷，此時Q1、Q2也都處于斷開狀態(tài)，電荷沒有釋放的回路，但MOS管柵極的電場仍然存在（能保持很長時間），建立導(dǎo)電溝道的條件并沒有消失。
這樣在再次開機(jī)瞬間，由于激勵信號還沒有建立，而開機(jī)瞬間MOS管的漏極電源（V1）隨機(jī)提供，在導(dǎo)電溝道的作用下，MOS管立刻產(chǎn)生不受控的巨大漏極電流Id，引起MOS管燒壞。為了避免此現(xiàn)象產(chǎn)生，在MOS管的柵極對源極并接一只泄放電阻R1，如下圖b所示，關(guān)機(jī)后柵極存儲的電荷通過R1迅速釋放，此電阻的阻值不可太大，以保證電荷的迅速釋放，一般在五千歐至數(shù)十千歐左右。
灌流電路主要是針對MOS管在作為開關(guān)營運用時其容性的輸入特性，引起“開”、“關(guān)”動作滯后而設(shè)置的電路，當(dāng)MOS管作為其他用途，例如線性放大等應(yīng)用時，就沒有必要設(shè)置灌流電路。
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