KNX3706A 50A/60V N溝道MOS管中文資料、封裝、參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2019-06-04
KIA半導體的KNX3706A產(chǎn)品是一種高密度溝槽N-ch MOSFET，它提供了優(yōu)良的RDS(ON)和大多數(shù)同步降壓變換器應用的柵極電荷。KNX3706A滿足RoHS和綠色產(chǎn)品的要求，100%EAS保證功能的可靠性得到認可。
RDS(ON)，typ.=9mΩ@VGS=10V
氮氣保護
超低柵極電荷
最佳Cdv/dt效應衰減
高級高密度槽技術(shù)
電流：50A
電壓：60V
漏源極電壓：60V
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：100A
單脈沖雪崩能：72.2MJ
雪崩電流：38A
接頭和儲存溫度范圍：-55℃至150℃
總功耗：42W
漏源擊穿電壓:60V
輸入電容：3220pF
輸出電容：210pF
反向轉(zhuǎn)移電容：145pF
連續(xù)源電流:50A
脈沖源電流:100A
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