MOS場效應(yīng)管判斷好壞及判斷注意事項(xiàng)-KIA MOS管

MOS場效應(yīng)管如何判斷好壞

（一）結(jié)型場效應(yīng)晶體管的檢測

1．判別電極與管型

用萬用表R×100檔或R×1k檔，用黑表筆任接一個(gè)電極，用紅表筆依次觸碰另外兩個(gè)電極。若測出某一電極與另外兩個(gè)電極的阻值均很大（無窮大）或阻值均較?。◣装贇W姆至一千歐姆），則可判斷黑表筆接的是柵極G，另外兩個(gè)電極分別是源S和漏極D。

MOS場效應(yīng)管判斷好壞，在兩個(gè)阻值均為高阻值的一次測量中，被測管為P溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管；在兩個(gè)阻值均為低阻值的一次測量中，被測管為N溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管。也可以任意測量結(jié)型場效應(yīng)晶體管任意兩個(gè)電極之間的正、反向電阻值。若測出某兩只電極之間的正、反向電阻均相等，且為幾千歐姆，則這兩個(gè)電極分別為漏極D和源極S，另一個(gè)電極為柵極G。結(jié)型場效應(yīng)晶體管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上具有對(duì)稱性，可以互換使用。若測得場效應(yīng)晶體管某兩極之間的正、反向電阻值為0或?yàn)闊o窮大，則說明該管已擊穿或已開路損壞。

2．檢測其放大能力

用萬用表R×100檔，紅表筆接場效應(yīng)管的源極S，黑表筆接其漏極D，測出漏、源極之間的電阻值RSD后，再用手捏信柵極G，萬用表指針會(huì)向左或右擺動(dòng)（多數(shù)場效應(yīng)管的RSD會(huì)增大，表針向左擺動(dòng)；少數(shù)場效應(yīng)管的RSD會(huì)減小，表針向右擺動(dòng)）。只要表針有較大幅度的擺動(dòng)，即說明被測管有較大的放大能力。

（二）雙柵場效應(yīng)晶體管的檢測

1．電極的判別

MOS場效應(yīng)管判斷好壞，大多數(shù)雙柵場效應(yīng)晶體管的管腳位置排列順序是相同的，即從場效應(yīng)晶體管的底部（管體的背面）看，按逆時(shí)針方向依次為漏極D、源極S、柵極G1和柵極G2。因此，只要用萬用表測出漏極D和源極S，即可找出兩個(gè)柵極。

檢測時(shí)，可將萬用表置于R×100檔，用兩表筆分別測任意兩引腳之間的正、反向電阻值。當(dāng)測出某兩腳之間的正、反向電阻均為幾十歐姆至幾千歐姆（其余各引腳之間的電阻值均為無窮大），這兩個(gè)電極便是漏極D和源極S，另兩個(gè)電極為柵極G1和柵極G2。

2．估測放大能力

用萬用表R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，在測量漏極D與源極S之間的電阻值RSD的同時(shí)，用手指捏住兩個(gè)柵極，加入人體感應(yīng)信號(hào)。若加入人體感應(yīng)信號(hào)后，RSD的阻值由大變小，則說明該管有一定有放大能力。萬用表指針向右擺越大，說明其放大能力越強(qiáng)。

3．判斷其好壞

MOS場效應(yīng)管判斷好壞，用萬用表R×10檔或R×100檔，測量場效應(yīng)晶體管源極S和漏極D之間的電阻值。正常時(shí)，正、反向電阻均為幾十歐姆至幾千歐姆。且黑表筆接漏極D、紅表筆接源極S時(shí)測得的電阻值較黑表筆接源極S、紅表筆接D時(shí)測得的電阻值要略大一些。若測得D、S極之間的電阻值為0或?yàn)闊o窮大，則說明該管已擊穿損壞或已開路損壞。用萬用表R×10k檔，測量其余各引腳（D、S之間除外）的電阻值。正常時(shí)，柵極G1與G2、G1與D、G1與S、G2與D、G2與S之間的電阻值均應(yīng)為無窮大。若測得阻值不正常，則說明該管性能變差或已損壞。

如何快速判斷其好壞及引腳功能

1.用10K檔，內(nèi)有15伏電池。可提供導(dǎo)通電壓。

2.因?yàn)闁艠O等效于電容，與任何腳不通，不論N管或P管都很容易找出柵極來，否則是壞管。

3.利用表筆對(duì)柵源間正向或反向充電，可使漏源通或斷，且由于柵極上電荷能保持，上述兩步可分先后，不必同步，方便。但要放電時(shí)需短路管腳或反充。

4.大都源漏間有反并二極管，應(yīng)注意，及幫助判斷。

5.大都封莊為字面對(duì)自已時(shí)，左柵中漏右源。

以上前三點(diǎn)必需掌握，后兩點(diǎn)靈活運(yùn)用，很快就能判管腳，分好壞。如果對(duì)新拿到的不明MOS管，可以通過測定來判斷腳極，只有準(zhǔn)確判定腳的排列，才能正確使用。

管腳測定方法：

①柵極G的測定：用萬用表R&TImes;100檔，測任意兩腳之間正反向電阻，若其中某次測得電阻為數(shù)百Ω），該兩腳是D、S，第三腳為G。

②漏極D、源極S及類型判定：用萬用表R&TImes;10kΩ檔測D、S問正反向電阻，正向電阻約為0.2&TImes;10kΩ，反向電阻（5一∞）X100kΩ。在測反向電阻時(shí)，紅表筆不動(dòng)，黑表筆脫離引腳后，與G碰一下，然后回去再接原引腳，出現(xiàn)兩種情況：

a．若讀數(shù)由原來較大值變?yōu)?（0&TImes;10kΩ），則紅表筆所接為S，黑表筆為D。用黑表筆接觸G有效，使MOS管D、S間正反向電阻值均為0Ω，還可證明該管為N溝道。

b．若讀數(shù)仍為較大值，黑表筆不動(dòng)，改用紅表筆接觸G，碰一下之后立即回到原腳，此時(shí)若讀數(shù)為0Ω，則黑表筆接的是S極、紅表筆為D極，用紅表筆接觸G極有效，該MOS管為P溝道。

怎么判斷場效應(yīng)管好壞的注意事項(xiàng)

（1）VMOS管亦分N溝道管與P溝道管,但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管。對(duì)于P溝道管,測量時(shí)應(yīng)交換表筆的位置。

（2）目前市場上還有一種VMOS管功率模塊,專供交流電機(jī)調(diào)速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊,內(nèi)部有N溝道、P溝道管各三只,構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu)。

（3）現(xiàn)在市售VNF系列(N溝道)產(chǎn)品,是美國Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場效應(yīng)管,其最高工作頻率FP=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小信號(hào)低頻跨導(dǎo)gm=2000μS。適用于高速開關(guān)電路和廣播、通信設(shè)備中。

（4）使用VMOS管時(shí)必須加合適的散熱器后。以VNF306為例,該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器后,最大功率才能達(dá)到30W。

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