MOS管電極知識(shí)與電極之間的區(qū)別解析-KIA MOS管

MOS管電極知識(shí)與電極的區(qū)別

所有的FET都有柵極(gate)、漏極(drain)、源極(source) 三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)BJT的基極(base)、集電極(collector) 和發(fā)射極(eritter)。

MOS管，電極

除JFET以外，所有的FeT也有第四端，被稱(chēng)為體(body)、基(base)、塊體(bu1k) 或襯底(substrate)。這個(gè)第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行;在電路設(shè)計(jì)中，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個(gè)集成電路的時(shí)候，它的存在就是重要的。

在圖中柵極的長(zhǎng)度(1ength) L，是指源和漏的距離。寬度(width)是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長(zhǎng)度大得多。長(zhǎng)度1微米的柵極限制最高頻率約為5GHz，0.2 微米則是約30GHz。

這些端的名稱(chēng)和它們的功能有關(guān)。柵極可以被認(rèn)為是控制一個(gè)物理柵的開(kāi)關(guān)。這個(gè)柵極可以通過(guò)制造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過(guò)。如果受一個(gè)加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極。

體很簡(jiǎn)單的就是指柵、漏、源極所在的半導(dǎo)體的塊體。通常體端和一個(gè)電路中最高或最低的電壓相連，根據(jù)類(lèi)型不同而不同。體端和源極有時(shí)連在一起，因?yàn)橛袝r(shí)源也連在電路中最高或最低的電壓上。當(dāng)然有時(shí)一些電路中FET并沒(méi)有這樣的結(jié)構(gòu)，比如級(jí)聯(lián)傳輸電路和串疊式電路。

MOS管的源極和漏極區(qū)別

MOS管，電極

一、指代不同

1、源極：簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，與雙極型相反，也稱(chēng)為單極型晶體管。

2、漏極：利用外部電路的驅(qū)動(dòng)能力，減少I(mǎi)C內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)，?或驅(qū)動(dòng)比芯片電源電壓高的負(fù)載。

二、原理不同

1、源極：在一塊N型半導(dǎo)體材料的兩邊各擴(kuò)散一個(gè)高雜質(zhì)濃度的P型區(qū)（用P+表示），就形成兩個(gè)不對(duì)稱(chēng)的P+N結(jié)。把兩個(gè)P+區(qū)并聯(lián)在一起，引出一個(gè)電極，稱(chēng)為柵極（g），在N型半導(dǎo)體的兩端各引出一個(gè)電極。

2、漏極：將兩個(gè)P區(qū)的引出線連在一起作為一個(gè)電極，稱(chēng)為柵極，在N型硅片兩端各引出一個(gè)電極。

MOS管的定義：場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)是在一塊N型半導(dǎo)體的兩邊利用雜質(zhì)擴(kuò)散出高濃度的P型區(qū)域，其用P+表示，形成兩個(gè)P+N結(jié)。而N型半導(dǎo)體的兩端引出兩個(gè)電極，分別稱(chēng)為漏極D和源極S。

把兩邊的P區(qū)引出電極并連在一起稱(chēng)為柵極G。如果在漏、源極間加上正向電壓，N區(qū)中的多子（也就是電子）可以導(dǎo)電。它們從源極S出發(fā)，流向漏極D。電流方向由D指向S，稱(chēng)為漏極電流ID。

由于導(dǎo)電溝道是N型的，所以稱(chēng)為N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。場(chǎng)效應(yīng)管（包括結(jié)型和絕緣柵型）的漏極與源極通常制成對(duì)稱(chēng)的，漏極和源極可以互換使用。

但是有的絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管在制造產(chǎn)品時(shí)已把源極和襯底連接在一起了，所以這種管子的源極和漏極就不能互換。有的管子則將襯底單獨(dú)引出一個(gè)管腳，形成四個(gè)管腳。一般情況P襯底接低電位，N襯底接高電位。

對(duì)于絕緣柵NMOS管，接高壓為漏端，接低壓為源端。PMOS剛好相反。從原理上，NMOS載流子是電子，由低電壓處提供，所以低壓端稱(chēng)源端，PMOS載流子是空穴，由高壓處提供，所以高壓端稱(chēng)源端。

MOS管，電極