圖文干貨|用RC實現MOS管死區時間設置-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2020-12-31
MOS管死區時間設置：可在mos管的門級加上RC延時開啟電路，在電阻上并接二極管實現快速關斷。
藍線為輸入，黃線為輸出;左圖為不接電容，有圖為接上電容;兩圖對比可見關閉沒有延時而開啟有明顯延時，從而可實現上下管之間的死區控制。
方案原理圖如下圖:
控制過程如下:
因為IPM控制輸入低電平有效。平時CPU輸出控制腳1處于高電平，邏輯或門輸出高電平，IPM輸入鎖定。
當CPU輸出低電平有效時，高頻瓷片電容通過電阻放電，邏輯或門輸入腳2仍然維持高電平，邏輯或門輸出高電平, IPM輸入仍然鎖定。
當電容放電完畢，或門輸入腳2變為低電平時邏輯輸出才為低電平，IPM控制輸入有效，因此，電容放電時間就是CPU控制輸出到IPM控制輸入有效的延時時間。
當CPU控制輸出關斷即輸出重新變為高電平時，盡管電容處于充電狀態而使或門輸入腳2處于低電平，邏輯或門輸出仍然立即變為高電平，鎖定IPM輸入。
上述電路只是六路IPM控制輸入的其中一路，其他五路做同樣處理，通過調整R、C的參數，就可以實現所需要的延時時間。
下面是一相電路控制時序圖:
下面我們推導圖3所示電路中電阻和電容的選擇:
根據電工學公式，由電阻、電容組成的一階線性串聯電路，電容電壓Uc可以用下式表示:
在圖3所示電路中，我們選擇ST公司生產的高速CMOS或門電路，它的關門電平為1.35V (電源電壓為4.5V)，即當輸入電壓降至1.35/4.5U0=0.3U0時，輸出電平轉換有效，因此由式(1)可以推導出:
上式就是我們選擇R、C值的指導公式。
例如:需要延時時間為10us，選擇精度為5%高頻瓷片電容，容量為103P，則R= 10 *10e-6/1.2C=833Ω，這樣R就可選擇精度為1%、阻值為820Ω的金屬膜電阻。
小結:按照上述方案設計的硬件延時電路，結構簡單，成本低廉，可靠性極高，在實際使用時只需簡單調換一下電阻的阻值就可實現對死區時間要求不同的IPM的控制。
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