關(guān)于MOS管coss產(chǎn)生損耗的圖文分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-01-19
功率MOS管Coss會產(chǎn)生開關(guān)損耗，在正常的硬開關(guān)過程中，關(guān)斷時VDS的電壓上升，電流ID對Coss充電，儲存能量。
在MOS管開通的過程中，由于VDS具有一定的電壓，那么Coss中儲能的能量將會通過MOSFET放電，產(chǎn)生損耗。
許多資料中，理論的Coss放電產(chǎn)生的損耗為：
從上式可以看到，Coss放電產(chǎn)生的損耗和容值、頻率成正比，和電壓的平方成正比。在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，Coss對應(yīng)產(chǎn)生的功耗就是Eoss。
一些低輸入電壓的應(yīng)用，如筆記本電腦主板的Buck變換器輸入電壓為19V，通訊系統(tǒng)板極Buck變換器輸入電壓為12V，由于工作電壓比較低，Coss產(chǎn)生的損耗較小，相對于跨越線性區(qū)產(chǎn)生的開關(guān)損耗通常可以忽略不計，因此在低壓功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常不會列出Eoss。
常用的ACDC變換器如Flyback結(jié)構(gòu)的電源系統(tǒng)，輸入的電壓范圍為100-380VDC，甚至更高的輸入電壓，Coss產(chǎn)生的損耗所占的比例非常大，甚至成為主導(dǎo)因素，因此在高壓功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，列出Eoss的值。目前有些中壓的功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中也列出了Eoss的值。
功率MOSFET的電容特性是非線性的，Coss容值會隨著VDS電壓變化，因此基于Coss的Eoss也是非線性的，如下圖所示。因此，如本文開始部分，直接使用傳統(tǒng)電容儲能的公式電容的放電損耗是不正確的。
Coss曲線的測量方法前面的文章已經(jīng)介紹過，對Coss的曲線積分，可以得到Qoss：
如圖2所示，VDS為30V時對應(yīng)的Qoss就是圖中Coss曲線、水平X軸、VDS=30V垂直線和垂直Y軸所包圍的面積。在不同的電壓下得到不同的Qoss，就可以作出Qoss-VDS曲線。
那么如何得到Eoss？可否根據(jù)Qoss-VDS的曲線，再對Qoss積分，就可以得到Eoss？
電容Coss隨VDS電壓變化，不同的電壓下容值不同，因此不能使用上面積分的方法來計算Eoss。
考慮到電容Coss隨VDS電壓變化，為了計算VDS-Eoss曲線，VDS電壓從0開始，使用小的電壓增幅間隔，例如：0.5V、1V、1.5V、2V、2.5V、3V、3.5V、。。。60V，在不同的電壓下可以得到相應(yīng)的電容值。
當(dāng)電壓從VDS(n)增加到VDS(n+1)時，例如從1V增加到1.5V，增加的Qoss可以由下式計算：
使用上述方法，計算的AON6162的VDS-Eoss曲線如圖4所示。
上述方法中有一些誤差，分度越細(xì)，誤差越小。
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