MOS管電流源驅動原理分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-03-18
本文采用電流源方式驅動電路，研究電流源驅動條件下的MOS管開關特性，對驅動電路進行了細致分析。
MOS管電流源驅動原理分析：
在傳統電壓源驅動方式下，開關管VT門極電容充電的過程中，充電電流、Cin 兩端電壓Ugs變化如圖1所示；
to時刻門極平均電流Ig達到峰值Ugate / RG，隨后快速下降，在t1~t2時刻由于發生miller電容效應，Ugs不變，此時電流i可近似看成常數。
這段時間miller電容效應明顯，隨著IG的減小，驅動能力減弱，導致開關時間長、開關損耗大。
為了減少miller電容效應，若在開關管門極電容充電的過程中，保持充電電流不變，如圖2所示；
(圖中Ipl-on、Ipl-off分別表示開通和關斷時米勒平臺電流，Ith-on、Ith-off分別表示開通和關斷時刻的門檻電流)，則開關時間將縮短，開關損耗降低。
基于這種思想，本文采用了電流源驅動電路，通過特定的驅動方式，在MOS管開啟和關斷時，產生一個近似恒流的電源給其供電，縮短開關時間，達到減少開關損耗的目的。
由式(1 )知開關損耗與開通和關斷時間、開關頻率成正比。
其中，uDS和iDS分別為漏源電壓和電流；tr和tf分別為開關過程中的上升和下降時間。
電流源驅動的目的是為減少開通和關斷時間，使開關電源在高頻下工作時的開關損耗比傳統驅動大幅降低。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
