PNP型三極管基礎知識詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-03-30
PNP型三極管，是由2塊P型半導體中間夾著1塊N型半導體所組成的三極管，所以稱為PNP型三極管。也可以描述成，電流從發射極E流入的三極管。
PNP型三極管發射極電位最高，集電極電位最低，UBE<0.三極管按結構分，可分為NPN型三極管和PNP型三極管。
下圖PNP型三極管。
三極管導通時IE=（放大倍數+1）*IB和ICB沒有關系，ICB=0 ICB>0時，可能三極管就有問題，所以三極管在正常工作時，不管是工作在放大區還是飽和區ICB=0
當UEB>0.7V（硅）（鍺0.2V），RC/RB<放大倍數時，三極管工作在飽和區，反之就工作在放大區。
2個PN結的方向不一致。
PNP是共陰極，即兩個PN結的N結相連做為基極，另兩個P結分別做集電極和發射極；電路圖里標示為箭頭朝內的三極管。
NPN則相反
工作原理：
晶體三極管按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用最多的是硅NPN和PNP兩種三極管，兩者除了電源極性不同外，其工作原理都是相同的，下面介紹NPN硅管的電流放大原理。
對于NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發射區與基區之間形成的PN結稱為發射結，而集電區與基區形成的PN結稱為集電結，三條引線分別稱為發射極e、基極b和集電極c。
當b點電位高于e點電位零點幾伏時，發射結處于正偏狀態，而C點電位高于b點電位幾伏時，集電結處于反偏狀態，集電極電源Ec要高于基極電源Ebo。
在制造三極管時，有意識地使發射區的多數載流子濃度大于基區的，同時基區做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源后，由于發射結正偏，發射區的多數載流子（電子）基極區的多數載流子（空穴）很容易地越過發射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱為發射極電流Ie。
由于基區很薄，加上集電結的反偏，注入基區的電子大部分越過集電結進入集電區而形成集電集電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區的空穴進行復合，被復合掉的基區空穴由基極電源Eb重新補給，從而形成了基極電流Ibo.根據電流連續性原理得：Ie=Ib+Ic
這就是說，在基極補充一個很小的Ib，就可以在集電極上得到一個較大的Ic，這就是所謂電流放大作用，Ic與Ib是維持一定的比例關系，即：
β1=Ic/Ib
式中：β1--稱為直流放大倍數，
集電極電流的變化量△Ic與基極電流的變化量△Ib之比為：
β= △Ic/△Ib
式中β--稱為交流電流放大倍數，由于低頻時β1和β的數值相差不大，所以有時為了方便起見，對兩者不作嚴格區分，β值約為幾十至一百多。
同理，PNP三極管則主要是形成空穴電流，其余原理基本相近。
三極管是一種電流放大器件，但在實際使用中常常利用三極管的電流放大作用，通過電阻轉變為電壓放大作用。
pnp型的三極管使用方法
三極管在數字電路和模擬電路中都有大量的應用，圖 3-5 的 LED 電路中的 Q16就是一個 PNP 型的三極管。
圖 3-5 LED 電路
三極管的初步認識三極管是一種很常用的控制和驅動器件，常用的三極管根據材料分有硅管和鍺管兩種，原理相同，壓降略有不同，硅管用的較普遍，而鍺管應用較少，本文用硅管的參數來進行講解。三極管有 2 種類型，分別是 PNP 型和 NPN 型。先來認識一下，如圖 3-6。
圖 3-6 三極管示意圖
三極管一共有 3 個極，從圖 3-6 來看，橫向左側的引腳叫做基極（base），中間有一個箭頭，一頭連接基極，另外一頭連接的是發射極 e（emitter），那剩下的一個引腳就是集電極 c（collector）了。
三極管的原理三極管有截止、放大、飽和三種工作狀態。放大狀態主要應用于模擬電路中。而數字電路主要使用的是三極管的開關特性，只用到了截止與飽和兩種狀態，只來講解這兩種用法。
三極管的類型和用法總結一句口訣：箭頭朝內 PNP，導通電壓順箭頭過，電壓導通，電流控制。下面來解析一下。圖 3-6，三極管有 2 種類型，箭頭朝內就是PNP，那箭頭朝外的自然就是 NPN 了，在實際應用中，要根據實際電路的需求來選擇到底用哪種類型。
三極管的用法特點，關鍵點在于 b 極（基極）和 e 級（發射極）之間的電壓情況，對于PNP 而言，e 極電壓只要高于 b 級 0.7V 以上，這個三極管 e 級和 c 級之間就可以順利導通。
也就是說，控制端在 b 和 e 之間，被控制端是 e 和 c 之間。同理，NPN 型三極管的導通電壓是 b 極比 e 極高 0.7V，總之是箭頭的始端比末端高 0.7V 就可以導通三極管的 e 極和 c 極。這就是關于“導通電壓順箭頭過，電壓導通”的解釋。
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