30V50A KIA50N03A替代NCE3050封裝齊全 現(xiàn)貨直銷-KIA MOS管

NCE3050替代MOS管

NCE3050可用KIA50N03A替代。深圳市可易亞半導體科技有限公司.是一家專業(yè)從事中、大、功率場效應管(MOSFET)、快速恢復二極管、三端穩(wěn)壓管開發(fā)設計，集研發(fā)、生產(chǎn)和銷售為一體的國家高新技術企業(yè)。

30V50A KIA50N03A產(chǎn)品特征

VDS=30V,ID=50A

RDS(ON)<11mΩ@VGS=10V

RDS(ON)<16mΩ@VGS=4.5V

超低RDSON高密度電池設計

穩(wěn)定性好，均勻性好

良好的散熱包裝

高靜電放電性能的特殊工藝技術

MOS管NCE3050產(chǎn)品應用領域

1、電源切換應用

2、開關和高頻電路

3、不間斷電源

MOS管NCE3050參數(shù)

MOS管NCE3050封裝

MOS管NCE3050規(guī)格書詳情

查看及下載規(guī)格書，請點擊下圖。

NCE3050替代MOS管產(chǎn)品KIA50N03A
MOS管50N03產(chǎn)品特征-KIA50N03A

1、先進的溝槽處理技術

2、高密度超低電阻電池的設計

3、完全確定雪崩電壓和電流

4、VDSS=30V,RDS(on)=6.5mΩ,ID=50A

5、Vds=30V

6、RDS(ON)=6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A

7、RDS(ON)=9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A

MOS管50N03產(chǎn)品主要參數(shù)-KIA50N03A

產(chǎn)品型號：KIA50N03A

工作方式：50A/30V

漏源極電壓:30V

柵源電壓:±20V

連續(xù)漏電流：50A

脈沖漏電流 ：200A

操作接頭和存儲溫度范圍:-55℃至150℃

結對殼熱阻：1.8℃/W

對周圍環(huán)境的電阻:50℃/W

30V50A KIA50N03A封裝引腳圖

30V50A KIA50N03A產(chǎn)品附件

以下為KIA50N03A產(chǎn)品PDF格式的產(chǎn)品詳細資料，查看詳情請點擊下圖。

KIA半導體研發(fā)人員以來自韓國(臺灣)超一流團隊，可以快速根據(jù)客戶應用領域的個性來設計方案，同時引進多臺國外先進設備，業(yè)務含括功率器件的直流參數(shù)檢測、雪崩能量檢測、可靠性實驗、系統(tǒng)分析、失效分析等領域。強大的研發(fā)平臺，使得KIA在工藝制造、產(chǎn)品設計方面擁有知識產(chǎn)權35項，并掌握多項場效應管核心制造技術。自主研發(fā)已經(jīng)成為了企業(yè)的核心競爭力。

從設計研發(fā)到制造再到倉儲物流，KIA半導體真正實現(xiàn)了一體化的服務鏈，真正做到了服務細節(jié)全到位的品牌內(nèi)涵，我們致力于成為場效應管（MOSFET）功率器件領域的領跑者，為了這個目標，KIA半導體正在持續(xù)創(chuàng)新，永不止步！

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