?KIA6N70 MOS管700V?5.8A現貨直銷 原廠供應-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-04-27
這種功率MOSFET是使用KIA的先進的平面條紋DMOS技術生產的。這種先進的技術特別適合最小化狀態上的電阻,提供優越的開關性能,并在雪崩和換相模式下經受高能量脈沖。這些器件適用于高效開關電源、基于半橋拓撲的有源功率因數校正。
RDS（ON）典型值= 1.8Ω@ V GS = 10v
低柵極電荷（典型的16nc）
高耐用性
快速切換
100%雪崩測試
改進的dt／dt能力
產品型號：KIA6N70
工作方式：5.8A/700V
漏源電壓：700V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：5.8*A
脈沖漏極電流：150mJ
雪崩能量：4.8A
耗散功率：95W
熱電阻：110℃/W
漏源擊穿電壓：700V
溫度系數：0.7V/℃
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：650 PF
輸出電容：95 PF
上升時間：40 ns
封裝形式：TO-251、TO-252、TO-220F
聯系方式：鄒先生
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