絕緣柵場效應管分析圖解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-05-20
絕緣柵型場效應管是一種利用半導體表面的電場效應，由感應電荷的多少改變導電溝道來控制漏極電流的器件，它的柵極與半導體之間是絕緣的，其電阻大于1000000000Ω。
增強型：VGS=0時，漏源之間沒有導電溝道，在VDS作用下無iD。耗盡型：VGS=0時，漏源之間有導電溝道，在VDS作用下iD。
1. 結構和符號（以N溝道增強型為例）
在一塊濃度較低的P型硅上擴散兩個濃度較高的N型區作為漏極和源極，半導體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個電極作為柵極。
1、柵極G與漏極D、源極S之間相絕緣，它們之間的電阻無限大；
2、沒有外加電壓時漏極與源極之間不導通；增強型NMOS管是以P型硅片作為基片（又稱襯底），漏極連接的為N半導體，襯底與源極連在一起，故P型襯底與漏極N型半導體會形成二極管，稱為寄生二極管；因此漏極和源極之間的反向電阻很小。
增強型絕緣柵場效應管工作原理：在柵極與源極之間加上正向電壓后，達到一定值后就會形成導電溝道，改變電壓就改變了導電溝道的寬度和導電能力。
1、柵極與漏極、源極絕緣，它們之間的電阻無限大；
2、漏極與源極之間能夠導通，溝道在制造時就已形成；在柵極與源極之間加上反向向電壓后，改變電壓就改變了導電溝道的寬度和導電能力。
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