600V9.5A MOS管KIA10N60H 產品資料 原廠好價-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-07-01
KIA10N6OHN溝道增強型硅柵功率MOSFET適用于高電壓、高速功率開關如高效開關電源、有源功率因數校正、基于半橋到全橋的電子燈鎮流器等。
1、RDS(on)=0.6Ω@VGS=10V
2、低柵電荷（典型的44nc)
3、快速切換能力
4、雪崩能量指定值
5、增強的dv/dt能力
產品型號：KIA10N60H
工作方式：9.5A/600V
漏源極電壓:600V
柵源電壓:±30V
漏電流連續:9.5A/5.7A
峰值二極管恢復:4.5V/ns
結溫:+150℃
貯存溫度:-55℃至150℃
以下為KIA10N60H產品PDF格式的產品詳細資料，查看詳情請點擊下圖。
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