場效應管的微變等效電路分析-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-07-06
場效應管的微變等效電路如圖所示。
得到了晶體管的h參數后，就可以畫出晶體管的線性等效電路，圖z0214是晶體管的h參數等效電路。
關于h參數等效電路，應注意以下幾點：
（1）電壓的參考極性為上正下負，電流的參考正方向是流入為正；
（2）電路中出現了受控源。受控源的大小和極性均具有從屬性。在分析電路時，可以象獨立源一樣進行等效變換，但控制量不能丟失，在涉及獨立源取零值的處理中，不能對受控源進行開路或短路處理，只能視控制量而定。
（3）微變等效電路只適用于低頻小信號放大電路，只能用來計算交流分量，不能計算總的瞬時值和靜態工作點。
（4）晶體管的輸入電阻 rbe（hie）一般可用下列近似公式進行估算：
式中 表示晶體管基區的體電阻，對一般小功率管約為300ω左右（計算時，若未給出，可取為300ω），ie為通過管于發射極的靜態電流，單位是ma。在ie≤5ma范圍內，式gs0220計算結果與實際測量值基本一致。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區車公廟天安數碼城天吉大廈CD座5C1
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
