mos器件漏極偏壓詳解原因 n溝道MOSFET

信息來源：本站　日期：2017-07-06　

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MOSFET按比例減少M(fèi)OSFET尺寸的縮減在一開端即為一持續(xù)的趨向．在集成電路中，較小的器件尺寸可到達(dá)較高的器件密度，此外，較短的溝道長度町改善驅(qū)動(dòng)電流（ID~1/L）以及工作時(shí)的特性，但是，由于電子器件尺寸的縮減，溝道邊緣（如源極、漏極及絕緣區(qū)邊緣）的擾動(dòng)將變得愈加重要，因而器件的特性將不再恪守長溝道近似的假定．

MOSFET按比例減少標(biāo)準(zhǔn)

當(dāng)器件尺寸縮減時(shí)，必需將短溝道效應(yīng)降至最低水平，以確保正常的器件特性及電路工作，在器件按比例減少設(shè)計(jì)叫需求一些原則，一個(gè)扼要維持長溝道特性的辦法為將一切的尺寸及電壓，除上一按比例減少要素k(>1)，如此內(nèi)部電場(chǎng)將堅(jiān)持好像長n溝道MOSFET普通，此辦法稱為定電場(chǎng)按比例減少.

不同器件參數(shù)與電路特性因子的定電場(chǎng)按比例減少的標(biāo)準(zhǔn)，隨器件尺寸的縮減，其電路性能（速度以及導(dǎo)通時(shí)的功率損耗）得到增強(qiáng)．但是，在實(shí)踐的IC制造中，較小器件的內(nèi)部電場(chǎng)常常被迫增加而很難堅(jiān)持固定．這主要是由于一些電壓因子（如電源供給、閾值電壓等）無法恣意縮減，由于亞閾值擺幅是無法被按比例減少的，所以，假若閾值電壓過低，則關(guān)閉態(tài)(offstate)(VG=0)的漏電流將會(huì)顯著增加，因而，待機(jī)功率(standbypower）損耗也將隨之上升。經(jīng)過按比例減少標(biāo)準(zhǔn)，方能制造出具有溝道長度短至20nm、十分高的跨導(dǎo)（>1000ms/mm)以及合理的亞閾值擺幅(約120mV/decade)的MOSFET，