低壓小功率MOS管KIA30N06B 60V25A參數 原廠現貨-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2021-09-02
KIA半導體是一家致力于功率半導體電子元器件研發與銷售的高新技術型企業，竭誠服務全球開關電源、綠色照明、電機驅動、汽車電子、新能源充電樁、太陽能設備、數碼家電、安防工程等行業長期合作伙伴，主動了解客戶需求，不斷研發創新，為客戶提供綠色、節能、高效的功率半導體產品。
KIA30N06B是極高電池密度的最高性能溝槽N-ch MOSFET ,它為大多數同步BUCK變換器的應用提供了優良的Rdson和柵電荷。KIA30N06B滿足RoHS和綠色產品要求，100%的EAS保證了全部功能的可靠性。
RDS(on) =25mΩ@ VDS=60V
先進的高密度溝槽技術
超低端滑蓋裝
優良的CDV/dt效應遞減
100% EAS保證
綠色的可用設備
高頻點同步降壓變換器
網絡化DC-DC電源系統
負荷開關
產品型號：KIA30N06
工作方式：25A/60V
漏流電壓：60V
柵源電壓（連續）：±20V
連續漏電流：25A
脈沖漏極電流：50A
雪崩能量：22.6A
熱電阻：62℃/W
漏源擊穿電壓：60V
溫度系數：0.063V/℃
柵極閾值電壓：12V
輸入電容：1345 PF
輸出電容：72.5 PF
上升時間：14.2 ns
封裝形式：TO-251、TO-252
KIA本著“攜手客戶，創新設計，共同提升，服務市場”的理念，期待在您的大力支持下，使KIA成為MOSFET器件領域的優秀mos管品牌。
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