結型場效應管-結型場效應管結構和符號、特性曲線-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2017-07-17
1.構造與符號
結型場效應管的構造表示圖及其表示符號如圖2-31所示。
在圖2-31(a)中，s表示Source，源極；D表示Drain，漏極；G表示Gate，柵極。在漏極和源極之間加上一個正向電壓后，N型嗲電子半導體中的多數(shù)載流子（電子）便能夠導電了。這種導電溝道是N型的場效應管，稱為N溝道結型場效應管。
圖2-31 (b)中的場效應管在P型硅棒的兩側制成了高摻雜的N型區(qū)(N+)，其導電溝道為P型，多數(shù)載流子為空穴。
1)轉移特性曲線
轉移特性曲線表達當UDS一定時，柵源電壓Ucs對漏極電流iD的控制造用，即
理論剖析和實測結果標明，iD與ucs契合平方律關系，即
式中，IDSS為飽和電流，表示UGS=o時的iD值；UP為夾斷電壓，表示UGS=Up時iD為零。
由此可見，結型MOS場效應管轉移特性曲線是用來闡明在一定的漏源電壓u陌時，柵源電壓UGS和漏極電流iD之間變化關系的曲線。JFET的轉移特性曲線如圖2-32所示。
為了使輸入阻抗大（不允許呈現(xiàn)柵流ic），也為了使柵源電壓對溝道寬度及漏極電流有效地停止控制，PN結一定要反偏，因而在N溝道JFET中，uGS必需為負值。
2、輸出特性曲線
輸出特性曲線表達當柵源電壓UGS，不變時，漏極電流iD與漏源電壓UDS的關系，即
由此可見，輸出特性曲線表示的足以Ucs為參變量時iD與UDS的關系。JFET的輸出特性曲線如圖2-33所示，依據(jù)特性曲線的各局部特征，能夠將其分為四個區(qū)域，如圖中所示。
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