MOS管三個引腳區(qū)分及作用圖文詳解-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-03-28
MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxid)—半導體(Semiconductor)場效應(yīng)晶體管。
MOS管電壓控制型的元件，常常用于直流負載的開關(guān)控制。由背靠背的PN結(jié)組成，可以分為N MOS管和P MOS管。
MOS管有三個引腳，分別是柵極(G)、源極(S)和漏極(D)
市面上常有的一般為N溝道和P溝道。N溝道的電源一般接在D，輸出S，P溝道的電源一般接在S，輸出D。
MOS管三個引腳柵極(G)、源極(S)和漏極(D)意義及作用:
柵極(G):MOS管的控制引腳，G的全稱是Gate，當在柵極(G)施加電壓后，柵極(G)和硅襯底之間的SiO2絕緣層中就會產(chǎn)生一個柵極(G)指向硅襯底的電場。
氧化物層兩邊形成一個電容，門極電壓等于對電容充電，受電壓吸引，電容另一邊聚集大量電子，形成導電溝道，MOS管開始導通。
漏極(D):D的全稱是Drain，對于N MOS管，電流從漏極(D)流入，對于P MOS管，電流從漏極(D)流出。
源極(S):S的全稱是Source，對于N MOS管，電流從源極(S)流出，對于P MOS管，電流從源極(S)流入。
其實MOS管導通后，電流可以從漏極(D)流向源極(S)，也可以從源極(S)流向漏極(D)。
MOS管是電壓驅(qū)動型的器件，和三極管是不同的，只有柵極(G)電壓大于門極開啟電壓（Vgs)才可以導通。
N溝道MOS管：DR為高電平時導通（Vgs為正電壓），當然Vgs要達到它的門極開啟電壓。
P溝道MOS管：DR為低電平時導通（Vgs為負電壓），當然Vgs要達到它的門極開啟電壓。
如果單片機的GPIO驅(qū)動電壓不足，我們可以加入三極管來協(xié)助驅(qū)動，GPIO驅(qū)動三極管的通斷，MOS管則通過三極管集電極的電壓來進行驅(qū)動。
判定柵極G：將萬用表撥至R×1k檔，用萬用表的負極任意接一電極，另一只表筆依次去接觸其余的兩個極，測其電阻。若兩次測得的電阻值近似相等，則負表筆所接觸的為柵極，另外兩電極為漏極和源極。漏極和源極互換，若兩次測出的電阻都很大，則為N溝道；若兩次測得的阻值都很小，則為P溝道。
判定源極S、漏極D：在源-漏之間有一個PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。
1、用10K檔，內(nèi)有15伏電池。可提供導通電壓。
2、因為柵極等效于電容，與任何腳不通，不論N管或P管都很容易找出柵極來，否則是壞管。
3、利用表筆對柵源間正向或反向充電，可使漏源通或斷，且由于柵極上電荷能保持，上述兩步可分先后，不必同步，方便。但要放電時需短路管腳或反充。
4、大多源漏間有反并二極管，應(yīng)注意，及幫助判斷。
5、大多封裝為字面對自已時，左柵中漏右源。以上前三點必需掌握，后兩點靈活運用，很快就能判管腳，分好壞。
如果對新拿到的不明MOS管，可以通過測定來判斷腳極，只有準確判定腳的排列，才能正確使用。
①柵極G的測定：用萬用表R×100檔，測任意兩腳之間正反向電阻，若其中某次測得電阻為數(shù)百Ω），該兩腳是D、S，第三腳為G。
②漏極D、源極S及類型判定：用萬用表R×10kΩ檔測D、S問正反向電阻，正向電阻約為0.2×10kΩ，反向電阻（5一∞）X100kΩ。在測反向電阻時，紅表筆不動，黑表筆脫離引腳后，與G碰一下，然后回去再接原引腳，出現(xiàn)兩種情況：
a．若讀數(shù)由原來較大值變?yōu)?（0×10kΩ），則紅表筆所接為S，黑表筆為D。用黑表筆接觸G有效，使MOS管D、S間正反向電阻值均為0Ω，還可證明該管為N溝道。
b．若讀數(shù)仍為較大值，黑表筆不動，改用紅表筆接觸G，碰一下之后立即回到原腳，此時若讀數(shù)為0Ω，則黑表筆接的是S極、紅表筆為D極，用紅表筆接觸G極有效，該MOS管為P溝道。
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