【圖文分享】MOS管參數(shù)μCox計(jì)算方法-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2022-06-08
MOS管溝道飽和區(qū)電流ID（不考慮非理想效應(yīng))
首先在原理圖中放上器件，以NMOS為例子，同時(shí)分別設(shè)置好NMOS溝道長(zhǎng)度和寬度，還有將對(duì)應(yīng)器件電壓也設(shè)置成變量，設(shè)成變量方面后面仿真條件下修改參數(shù)。
需要關(guān)注的參數(shù)是beff和betaeff，其中beff就是平方率關(guān)系對(duì)應(yīng)的理想?yún)?shù)（完全不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)等，是可以計(jì)算過(guò)后發(fā)現(xiàn)，用得到的閾值電壓還有Id算出來(lái)完全符合平方率關(guān)系對(duì)應(yīng)的理想值），betaeff是修正的跨導(dǎo)模型參數(shù)，畢竟現(xiàn)在模型不是以前的那種簡(jiǎn)單模型了。
MOS管溝道飽和區(qū)電流ID
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機(jī)：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)車公廟天安數(shù)碼城天吉大廈CD座5C1
請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)
請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來(lái)源其它出處，如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系刪除。
