CMOS集成電路概念：溝道寬長比-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-11-29
本文介紹的數(shù)字后端概念是溝道寬長比。是代表著溝道寬度W與溝道長度L的比例。這也是CMOS集成電路的一個基本概念。
溝道（channel）是指場效應(yīng)晶體管中源區(qū)和漏區(qū)之間的一薄半導(dǎo)體層。是由于外加電場引起的沿長度方向的導(dǎo)電層。
如下圖所示：
MOS管工作在非飽區(qū)時，I-V特性曲線公式近似為：
因此，溝道寬長比對MOS管來說是非常重要的一個參數(shù)指標(biāo)。寬長比越大，MOS管的 飽和電流(Idsat)就越大，性能就越好。
在數(shù)字后端中，溝道的寬長比也體現(xiàn)在單元庫上。當(dāng)溝道長度L相同時，不同的溝道寬度會造成cell的不同高度，我們通常說的7 Track, 9 Track即是代表不同的溝道寬度，溝道寬度越大，速度也越快，功耗也越大；
當(dāng)溝道寬度W相同時，不同的溝道長度L也會造成cell的速度不同，我們通常看到的cell名字里的C14,C16就是代表不同的溝道長度。L越小，速度也越快，功耗也大。
聯(lián)系方式：鄒先生
聯(lián)系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號
請“關(guān)注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術(shù)幫助
免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請聯(lián)系刪除。
