圖文詳解：MOSFET和BJT之間的區別-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2022-12-07
場效應晶體管(MOSFET)和雙極結型晶體管(BJT)是兩種封裝形式各異的晶體管，雖然MOSFET和BJT都是晶體管，但它們的工作方式不同，表現出不同的行為，因此它們的使用方式不同。
金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)是一種場效應晶體管(FET)，由三個端子-柵極、源極和漏極組成。在MOSFET中，漏極由柵極端的電壓控制，因此MOSFET是一種電壓控制器件。施加在柵極上的電壓控制流入漏極的電流量。
MOSFET有兩種類型，“p溝道”和“n溝道”。這兩種類型都可以處于增強或耗盡模式（見圖1）。這意味著總共有四種不同類型的MOSFET。
在p溝道MOSFET中，源極和漏極端子由p型半導體制成。同樣，在n溝道MOSFET中，源極和漏極端子由n型半導體制成。柵極端子本身由金屬制成，并使用金屬氧化物與源極和漏極端子分離。
這種絕緣水平源于低功耗，是此類晶體管的主要優勢。這通常會看到MOSFET用于低功率設備或作為構建模塊來降低功耗。
耗盡模式：當柵極端電壓低時，通道呈現最大電導。由于柵極端電壓為正或負，溝道電導率降低。
增強模式：當柵極端電壓較低時，除非向柵極端施加更多電壓，否則器件不導通。
雙極結型晶體管(BJT)是一種電流驅動器件（相比之下，MOSFET是電壓驅動的），廣泛用作放大器、振蕩器或開關等。BJT具有三個引腳（基極、集電極和發射極）和兩個結：p結和n結。
BJT有兩種類型——PNP和NPN。每種類型都有一個大的集電極元件和一個大的發射極元件，它們以相同的方式摻雜。在這些結構之間是一小層稱為“基礎”的其他摻雜劑。電流流入PNP的集電極并流出發射極。
在NPN中，極性相反，電流流入發射極并流出集電極。在任何一種情況下，基極中的電流方向都與集電極相同。
從根本上說，BJT晶體管的操作是由其基極端子上的電流決定的。例如，小的基極電流等于小的集電極電流。BJT的輸出電流始終等于輸入電流乘以一個稱為“增益”的系數，通常是基極電流的10-20倍。
MOSFET和BJT之間有很多不同之處：
（1）MOSFET（電壓控制）是金屬氧化物半導體，而BJT（電流控制）是雙極結型晶體管。
（2）雖然兩者都有三個終端，但它們有所不同。MOSFET具有源極、漏極和柵極，而BJT具有基極、發射極和集電極。
（3）MOSFET是高功率應用的理想選擇，而BJT更常用于低電流應用。
（4）BJT取決于其基極端子上的電流，而MOSFET取決于氧化物絕緣柵電極上的電壓。
（5）MOSFET的結構本質上比BJT的結構更復雜。
MOSFET和BJT都具有獨特的特性和各自的優缺點。但是，我們不能說哪個“更好”，因為這個問題非常主觀。這個問題沒有一個直接而明確的答案。
在選擇在項目中使用哪個時，必須考慮許多不同的因素才能做出決定。其中包括功率電平、驅動電壓、效率、成本和開關速度等——這是了解項目真正有幫助的地方。
通常，MOSFET在電源中的效率通常更高。例如，在負載可變且電源有限的電池供電設備中，使用BJT將是一個壞主意。但是，如果BJT用于為具有可預測電流消耗的東西（例如LED）供電，那么這很好，因為可以將基極-發射極電流設置為LED電流的一小部分以獲得更高的效率。
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