汽車電子核心元件-MOSFET技術(shù)-KIA MOS管

新型應(yīng)用中有4大要素在推動(dòng)汽車電子功率器件的演進(jìn)：足夠的關(guān)斷電壓等級(jí) （Bvdss）、 系統(tǒng)功率要求、系統(tǒng)智能性/生存能力 （Survivability）。

產(chǎn)品和系統(tǒng)成本

一直以來，汽車電子應(yīng)用都采用Bvdss約60V的功率器件。而新的系統(tǒng)同時(shí)使用更高和更低的電壓等級(jí)，以更具成本效益的方式提供前所未有的系統(tǒng)性能。

高壓電/磁電噴射系統(tǒng)和高強(qiáng)度照明是兩種廣為流行的應(yīng)用，都需要擊穿電壓高達(dá)150V 到 300V的功率MOSFET。勢(shì)能更高的壓電和磁電燃油噴射系統(tǒng)能夠提供更準(zhǔn)確的燃油噴射和更精細(xì)的空氣/燃油混合比例，使燃燒更充分，有害排放得以降低，并最終提高性能。

相比普通白熾燈，高強(qiáng)度照明技術(shù)消耗更少的能量卻能夠產(chǎn)生更大的照明強(qiáng)度。這樣不僅可以提高駕駛?cè)藛T在夜晚或惡劣天氣條件下的能見度，同時(shí)也便于其它駕駛?cè)藛T看到自己的車輛。

除了電壓更高的汽車電子功率應(yīng)用外，車輛內(nèi)部消費(fèi)應(yīng)用產(chǎn)品快速的涌現(xiàn)也對(duì)電壓范圍提出更高要求。CD/DVD播放器、衛(wèi)星無線電、手機(jī)、GPS導(dǎo)航、MP3播放器接口就是需要功率MOSFET器件的新型應(yīng)用范例。

這些應(yīng)用所需的實(shí)際功率一般低于采用更小的分立或集成式元件的功率范圍。功率器件具有它們所服務(wù)的消費(fèi)產(chǎn)品的相同特征。

在上述應(yīng)用中，尺寸非常重要，故往往采用PCB封裝（其占位面積更小），或表面封裝的新型功率器件。Power 56 和 Super SOT SSOT 6等封裝普遍用于這些應(yīng)用中，在很小的封裝中提供相當(dāng)高的功率處理能力。

許多歷來是機(jī)械或液壓式的車載系統(tǒng)正在向電動(dòng)或電動(dòng)/液壓混合系統(tǒng)轉(zhuǎn)型。首當(dāng)其沖的是散熱器風(fēng)扇。采用電動(dòng)電機(jī)后，可以去掉風(fēng)扇皮帶，風(fēng)扇可利用現(xiàn)有引擎或根據(jù)冷卻劑溫度來進(jìn)行更精確地控制。

其它類似應(yīng)用還有電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向 （EPS）、集成式啟動(dòng)器交流發(fā)電機(jī) （ISA） 和主動(dòng)式懸掛系統(tǒng)。電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向和主動(dòng)式懸掛系統(tǒng)為車載系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了相當(dāng)大的靈活性，讓他們可以在多個(gè)車輛平臺(tái)上使用硬件系統(tǒng)，并通過軟件修改來改變車輛從輕便到豪華型的感覺。

這些電動(dòng)/機(jī)械系統(tǒng)的特征之一是使用的功率等級(jí)極高，因此需要大電流功率開關(guān)。為了能夠以盡量小的損耗提供最高的電流轉(zhuǎn)換，這些應(yīng)用一般采用額定電壓30V 到 40V的高性能溝道型MOSFET （Trench MOSFET）。

功率MOSFET解決方案

溝道型MOSFET已成為當(dāng)前大部分車載應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)應(yīng)用。傳統(tǒng)的平面型MOSFET建立在硅晶圓表面之上，而溝道型MOSFET是在硅片上蝕刻垂直溝道，從而讓功率開關(guān)得以擁有更高的單元密度和更低的導(dǎo)通阻抗。

由于這些電子機(jī)械系統(tǒng)大多數(shù)都采用了MOSFET H橋式電機(jī)驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)，兩個(gè)器件總是串聯(lián)以便使用電壓更低的MOSFET，同時(shí)仍然可以耐受常見的汽車高電壓沖擊現(xiàn)象。

相比60V MOSFET，這些擊穿電壓更低的器件能夠把開關(guān)的導(dǎo)通阻抗降低50%，這意味著系統(tǒng)功耗減少50%，亦即系統(tǒng)發(fā)熱減少，最終把散熱要求降至最低。

隨著車載系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在低電壓功率MOSFET方面累積更多的經(jīng)驗(yàn)，并開始認(rèn)識(shí)到其性能和成本優(yōu)勢(shì)，低電壓功率MOSFET的應(yīng)用范圍正在向剎車和顯示屏控制等其它低功率系統(tǒng)擴(kuò)展。

現(xiàn)在的功率溝道型MOSFET的導(dǎo)通阻抗（RDS（ON）） 低至1或2mΩ。這雖然大大降低了系統(tǒng)功耗，但給車載系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員帶來了其它復(fù)雜性，包括板上布線、系統(tǒng)連接等。

同時(shí)，封裝中引線在內(nèi)的寄生阻抗給系統(tǒng)帶來的額外阻抗很可能超過了實(shí)際MOSFET的自身導(dǎo)通阻抗。要進(jìn)一步降低導(dǎo)通阻抗，獲得更高功率密度的方法之一是使用混合模塊。

當(dāng)前許多應(yīng)用都已開始放棄傳統(tǒng)的功率封裝解決方案，改為在IMS （絕緣金屬基板） 或 DBC （直接鍵合銅） 等材料制作的絕緣基板上安裝裸片。即使在使用相同功率硅芯片的情況下，相比分立式功率封裝，這些模塊提供的能量和電流能力更高。

模塊能夠提供更高密度的裸片鍵合或更大的裸片引線鍵合，可減小互連阻抗，同時(shí)又把功率元件之間的距離減至最小。這種更高能量密度的代價(jià)是元件成本較分立式封裝方案高。不過，對(duì)于高能量系統(tǒng)，系統(tǒng)尺寸和性能方面的改進(jìn)足以彌補(bǔ)器件成本增加的缺憾。

汽車電子MOSFET發(fā)展的一個(gè)最終方向是提高感測(cè)、控制和保護(hù)功率開關(guān)的性能。功率器件正集成到智能化車載系統(tǒng)中。現(xiàn)在在最低功率級(jí)別，MOSFET可以與功率器件上的感測(cè)元件一起使用。

這些感測(cè)元件能夠測(cè)量電流或溫度，并能夠連接到電子設(shè)備上從而監(jiān)控系統(tǒng)性能，并在出現(xiàn)過流或過熱情況時(shí)保護(hù)功率器件免受損害。

30V到60V范圍的低功率器件正在集成到包括串聯(lián)接口和微控制器在內(nèi)的單片式IC中。這種專用的單片IC能夠控制小型電機(jī)，甚至可能通過電機(jī)和門鎖控制整個(gè)門節(jié)點(diǎn)。

對(duì)于更高能量的應(yīng)用，單片式IC在成本或技術(shù)上都不可行，但可以采用創(chuàng)新的封裝解決方案來實(shí)現(xiàn)集成。通過把大功率MOSFET和控制集成電路整合在單個(gè)封裝中，可以構(gòu)建超高功率的智能系統(tǒng)。

下圖所示為目前車載系統(tǒng)中采用多芯片封裝的幾個(gè)實(shí)例。這些智能化器件可以提供更高的系統(tǒng)性能監(jiān)控能力，通過集成保護(hù)功能提高功率系統(tǒng)的可靠性。如過流、過壓和過熱保護(hù)等功能都是這類產(chǎn)品的標(biāo)配。

當(dāng)器件感測(cè)到有可能發(fā)生上述異常狀況時(shí)，能夠把功率MOSFET置于整個(gè)系統(tǒng)自我保護(hù)的環(huán)境中。此外，這些器件還集成附加診斷功能，用以監(jiān)控負(fù)載開路或短路，有助于指導(dǎo)汽車機(jī)械裝置隔離和糾正車輛中出現(xiàn)的問題。

最后，或許也是所有應(yīng)用背后最重要的推動(dòng)力量及眾多此類技術(shù)可用的原因所在即產(chǎn)品和系統(tǒng)成本。在汽車業(yè)務(wù)中，有不變的推動(dòng)力一直在降低產(chǎn)品和系統(tǒng)的成本。

其不僅推動(dòng)元件成本的降低，也推動(dòng)車輛擁有成本的降低。可靠性也是成本的推動(dòng)力之一，可能導(dǎo)致線路故障或現(xiàn)場(chǎng)故障的低成本功率器件并不是真正的低成本器件。在選擇汽車所采用的元件時(shí)，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須把成本和可靠性作為主要的推動(dòng)力量。

汽車市場(chǎng)已為功率和智能功率器件建立了幾個(gè)產(chǎn)品認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，如AECQ100 和 AECQ101標(biāo)準(zhǔn)。面向汽車市場(chǎng)開發(fā)和供應(yīng)的產(chǎn)品必須經(jīng)設(shè)計(jì)和特性化，以滿足這些嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)的要求，確保終端系統(tǒng)的性能能夠滿足設(shè)計(jì)人員，更重要的是滿足車主對(duì)產(chǎn)品價(jià)值的期望。

聯(lián)系方式：鄒先生

聯(lián)系電話：0755-83888366-8022

手機(jī)：18123972950

QQ：2880195519

聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)金田路3037號(hào)金中環(huán)國際商務(wù)大廈2109

請(qǐng)搜微信公眾號(hào):“KIA半導(dǎo)體”或掃一掃下圖“關(guān)注”官方微信公眾號(hào)

請(qǐng)“關(guān)注”官方微信公眾號(hào):提供  MOS管  技術(shù)幫助

免責(zé)聲明：本網(wǎng)站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系刪除。