【電路設計】MOS管電容近似計算方法-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-05-08
Cox的理論計算方式
在電路設計零極點計算中，我們經常需要對MOS管的柵電容進行理論估算，柵電容Cgg=Cox*W*L，W和L我們可以直接從器件參數得到，接下來我們需要知道MOS管的Cox具體值。
Cox計算方式
概念：
（1）介電常數：
它是表示絕緣能力特性的一個系數，符號為ε，單位為F/m（法/米）
（2）相對介電常數：
某種電介質的介電常數ε與真空介電常數ε0的比值，稱為該電介質的相對介電常數，符號為εr，即εr=ε/ε0，εr是無量綱的純數；
其中真空介電常數ε0=8.854E-12F/m（記住），SIO2的相對介電常數為εr=3.9（記?。?，所以SIO2的介電常數ε=εr*ε0=3.9×8.854E-12F/m（記?。?。
（3）Cox計算
Cox是介質的介電常數ε與tox的比值，tox可以在工藝model文件(.scs文件)中找到，以HHG90工藝為例：
在model文件中可以查到NCH5的toxn=1.15E-08m，PCH5的toxp=1.14E-08m，SIO2的介電常數ε=3.9×8.854E-12F/m，
Coxn=ε/toxn=3fF/um2；
Coxp=ε/toxp=3.02fF/um2
可見PCH5的Cox比NCH5略大，數值幾乎一致，可按照3fF/um2進行電容計算
比如：W/L=100u:0.65u，m=200的PCH5，柵電容近似計算為：39pF
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
