MOS管RDS(on)與VGS(th)溫度特性圖文分析-KIA MOS管
信息來(lái)源：本站 日期：2023-05-11
分別找一份PMOS和一份NMOS的datasheet，看下導(dǎo)通電阻的正溫度特性，閾值電壓的負(fù)溫度特性是什么樣的。
下面兩張圖分別PMOS的導(dǎo)通電阻與閾值電壓隨溫度變化的曲線(xiàn)。
下面兩張圖分別NMOS的導(dǎo)通電阻與閾值電壓隨溫度變化的曲線(xiàn)。
可以看出，不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通電阻RDS（on）都隨著溫度的升高而增大，閾值電壓絕對(duì)值都隨溫度的升高而降低。
MOS管的導(dǎo)通電阻與其中的載流子遷移率有關(guān)，載流子遷移率越慢，導(dǎo)通電阻越大。
MOS管反型層中的電子和空穴遷移率隨著溫度升高而下降。這是由于溫度升高，載流子在溝道中受到的散射幾率增加的緣故。
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