KIA16N50 16A 500V逆變器電路應用推薦 原廠送樣-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-06-09
KIA16N50 功率MOSFET是使用KIA先進的平面條紋DMOS技術生產的。這種先進的技術經過特別定制，可以最大限度地減少導通電阻，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。這些器件非常適用于基于半橋拓撲的高效開關電源、有源功率因數校正。
KIA16N50 16A 500V-特點
RDS（開）=0.32Ω@ VGS=10V
低柵極電荷（典型45nC）
快速切換能力
指定雪崩能量
改進的dv/dt能力
KIA16N50 16A 500V-參數
產品型號：KIA16N50
工作方式：16A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓：±30V
漏電流連續：16A
脈沖漏極電流：64A
雪崩能量：853mJ
耗散功率：38.5W
熱電阻：62.5℃/W
漏源擊穿電壓：500V
溫度系數：0.6V/℃
柵極閾值電壓：3.0V
輸入電容：2200PF
輸出電容：350PF
上升時間：170 ns
封裝形式：TO-247、TO-220F、TO-3P
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
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聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
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