4A ?1000V場效應管 43100A參數 引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-08-23
KNX43100A場效應管-漏源擊穿電壓高達1000V，漏極電流最大值為4A；RDS (on) = 2.2mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷最小化開關損耗，低反向傳輸電容，開關速度快等優點，適用于驅動電源，充電樁等應用。封裝形式：TO-220、TO-220F、TO-252；腳位排列位GDS。
符合RoHS
RDS（ON），典型=2.2Ω@VGS=10V
低柵極電荷最小化開關損耗
快速恢復體二極管
適配器
充電器
SMPS備用電源
KIA半導體專業生產MOS管場效應管廠家（國家高新技術企業）成立于2005年，公司成立初期就明確立足本土市場，研發為先導，了解客戶需求，運用創新的集成電路設計方案和國際同步研發技術，結合中國市場的特點，向市場推出了BIPOLAR,CMOS,MOSSFET等電源相關產品，產品的穩定性，高性價比，良好的服務，以及和客戶充分的技術，市場溝通的嚴謹態度，在移動數碼，LCE,HID,LED,電動車，開關電源，逆變器，節能燈等領域深得客戶認可。
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
