高壓MOS管62150A 1500V場效應管STW21N150-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-09-04
高壓MOS管KNX62150A：漏源擊穿電壓高達1500V，漏極電流最大值為11A；RDS (on) = 2.4mΩ(typ)@VGS =10V。具有低電荷最小化開關損耗，低反向傳輸電容，開關速度快等優點，適用于高壓電源、新能源汽車電機等。封裝形式：TO-247；腳位排列位GDS。
KNX62150A--兼備超結技術優點與1500V漏源（drain-to-source）擊穿電壓（breakdown voltage）的晶體管，實現更環保、更安全的電源應用，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設計中。KNX62150A可替代1500V場效應管STW21N150。
符合RoHS
RDS（開啟），典型值=2.4Ω@VGS=10V
低柵極電荷最小化開關損耗
快速恢復體二極管
高壓電源
電容器放電
脈沖電路
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