NCE0115K中文資料,nce0115k參數,nce0115k代換6610A-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-09-26
NCE0115K中文資料
NCE0115KNCE新潔能100V 15A增強型功率NMOS
封裝：TO252
NCE0115K特性
VDS=100V，ID=15A
RDS（on）<100mΩ@ VGS=10V（typ：80mΩ)
RDS（on）<110mΩ@ VGS=4.5V（typ：85mΩ)
KNX6610A是最高性能的N溝道MOSFETS，具有極高的高單元密度。6610A采用KIA先進的平面條紋TRENCH技術生產。這種先進的技術經過特別定制，可最大限度地減少導通損耗，提供卓越的開關性能，并在雪崩和換向模式下承受高能脈沖。KNX6610A漏源擊穿電壓100V, 漏極電流最大值為15A ,RDS(on) =83mΩ(typ)@VGS=10V，能夠完美代換nce0115k型號參數場效應管，6610A價格優惠，現貨直銷。
RDS（ON）=83mΩ（典型值）@VGS=10V
極低導通電阻RDS（On）
低Crss
快速切換
100%雪崩測試
改進的dv/dt功能
PWM應用
電源管理
負載開關
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