nce01p18k參數及代換,nce01p18k引腳圖,KIA23P10A-KIA MOS管

nce01p18k參數,nce01p18k引腳圖

VDS =-100V,ID =-18A

RDS(ON) <100mΩ @ VGS=-10V (Typ:85mΩ)

RDS(ON) <120mΩ @ VGS=-10V (Typ:95mΩ)

漏源極擊穿電壓（最大）：-100V

連續漏極電流（最大）：-18A

功率耗散（最大）：70W

柵源極擊穿電壓：20V

漏源導通電阻（典型值）(10V)：85mΩ

封裝：TO252

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nce01p18k參數代換KIA23P10A中文資料

nce01p18k參數代換KIA23P10A場效應管漏源擊穿電壓-100V，漏極電流為-23A，RDS（ON）=78mΩ（典型值）@ VGS=10v；KIA23P10A采用先進的溝槽MOSFET技術，提供出色的RDS（ON）和柵極電荷，廣泛應用電動車報警器、開關等領域。KIA23P10A符合RoHS和綠色產品要求，100%EAS保證，可靠、堅固耐用，封裝形式：TO-252。

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nce01p18k參數代換KIA23P10A特性

RDS（ON）=78mΩ（典型值）@VGS=10V

100%EAS保證

綠色設備可用

超低柵極電荷

出色的Cdv/dt效應下降

先進的高單元密度溝槽技術

nce01p18k參數代換KIA23P10A參數詳情

工作方式：-23A/-100V

漏源電壓：-100V

柵源電壓：±20V

漏電流連續：-23A

脈沖漏極電流：-75A

雪崩電流：18.9A

雪崩能量：157.2mJ

耗散功率：96W

熱電阻：62℃/W

漏源擊穿電壓：-100V

溫度系數：-0.022V/℃

柵極閾值電壓：-1.2V

輸入電容：3029PF

輸出電容：129PF

上升時間：53.6ns

nce01p18k參數代換KIA23P10A規格書

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KIA半導體MOS管具備強大的核心競爭力，是開關電源生產廠家的優質選擇。KIA半導體MOS管廠家主要研發、生產、經營：場效應管（MOS管）、COOL MOS（超結場效應管）、三端穩壓管、快恢復二極管；廣泛應用于逆變器、鋰電池保護板、電動車控制器、HID車燈、LED燈、無刷電機、礦機電源、工業電源、適配器、3D打印機等領域；可申請免費送樣以及報價、技術支持服務。

聯系方式：鄒先生

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