30h10k場效應管參數引腳圖,代換,LED,保護板mos選型-KIA MOS管

30h10k場效應管參數引腳圖

VDS =30V,ID =100A

RDS(ON) <5.5mΩ @ VGS=10V (Typ:4mΩ)

漏源電壓(Vdss)：30V

連續漏極電流(Id)：100A

功率(Pd)：110W

導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.5mΩ@10V,20A

閾值電壓(Vgs(th)@Id)：3V@250uA

30h10k場效應管參數,LED,保護板

30h10k場效應管代換,LED,保護板mos管KND3203B

KND3203B場效應管采用CRM(CQ)先進溝槽MOS技術，漏源擊穿電壓30V，漏極電流100A，RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V，提供低柵極電荷的優異RDS（ON），能夠替代30h10k型號進行使用，封裝形式：TO-252，在鋰電池保護板、小功率LED等領域熱銷，高效率低損耗。KND3203B代換30h10k場效應管還可以用于電機控制與驅動、電池管理、UPS等應用領域。

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KNX3403A 30V 100A場效應管具有極低通阻RDS(通)、快速切換特點，低Rds開啟以最大限度地減少導電損耗，最小化開關損耗等特性，符合JEDEC標準，確保鋰電池保護板的性能穩定可靠。

30h10k場效應管代換,KND3203B參數

漏源極電壓：30V

漏極電流：100A

柵源電壓：±20V

脈沖漏電流：320A

雪崩能量單脈沖：256MJ

最大功耗：101W

柵極閾值電壓：2V

輸入電容：2340PF

輸出電容：460PF

開通延遲時間：11nS

關斷延遲時間：34nS

上升時間：102ns

下降時間：95ns

30h10k場效應管代換,KND3203B規格書

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KIA半導體MOS管具備強大的核心競爭力，是開關電源生產廠家的優質選擇。KIA半導體MOS管廠家主要研發、生產、經營：場效應管（MOS管）、COOL MOS（超結場效應管）、三端穩壓管、快恢復二極管；廣泛應用于逆變器、鋰電池保護板、電動車控制器、HID車燈、LED燈、無刷電機、礦機電源、工業電源、適配器、3D打印機等領域；可申請免費送樣以及報價、技術支持服務。

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