電源模塊選型1200v,KNX42120A場效應管參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-01-23
電源模塊熱銷KNX42120A高壓場效應管具有漏源擊穿電壓高達1200V和漏極電流可達3A的特點，RDS (on) = 7mΩ(typ)@VGS =10V；還具有低柵極電荷最小化開關損耗，低反向傳輸電容，開關速度快等優(yōu)點，可以有效地減少開關損耗，快速恢復體二極管，使其具備更高的性能，符合RoHS標準，提供多種封裝形式，包括TO-220、TO-220F和TO-252，以滿足不同應用場景的需求。KNX42120A場效應管廣泛適用于適配器、充電器和SMPS備用電源等領域。
漏源電壓：1200V
漏極電流：3A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：12A
雪崩能量單脈沖：100MJ
最大功耗：75W
輸入電容：860PF
輸出電容：22PF
開通延遲時間：17nS
關斷延遲時間：23nS
上升時間：6ns
下降時間：11ns
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