?MOS管23a 1200v,?KNK74120A場效應(yīng)管,逆變器專用-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-01-24
KNK74120A場效應(yīng)管采用高級平面工藝，漏源擊穿電壓1200V，漏極電流23A，RDS（ON）=480mΩ（典型值）@VGS=10V，具有低柵極電荷最小化開關(guān)損耗以及加固多晶硅柵極結(jié)構(gòu)，KNK74120A場效應(yīng)管封裝形式：TO-264。
漏源極電壓：1200V
漏極電流：23A
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：92A
雪崩能量單脈沖：1600MJ
最大功耗：585W
輸入電容：7350PF
輸出電容：556PF
開通延遲時間：60nS
關(guān)斷延遲時間：64nS
上升時間：112ns
下降時間：100ns
1200V的額定電壓使得MOS管能夠承受較高的電壓應(yīng)用場景，導(dǎo)通電阻較小，降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率；KNK74120A場效應(yīng)管是無刷直流電機驅(qū)動器、電焊機、高效開關(guān)電源等應(yīng)用領(lǐng)域的理想選擇，能夠最大限度地減少導(dǎo)電損耗，最小化開關(guān)損耗。
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