步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動MOS管,75nf75場效應(yīng)管參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-01-31
步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器采用單極性直流電源供電。只要對步進(jìn)電機(jī)的各相繞組按合適的時(shí)序通電，就能使步進(jìn)電機(jī)步進(jìn)轉(zhuǎn)動。
然而，步進(jìn)電機(jī)不能直接接到工頻交流或直流電源上工作，而必須使用專用的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器，它有脈沖發(fā)生控制單元、功率驅(qū)動單元、保護(hù)單元等組成。驅(qū)動單元與步進(jìn)電機(jī)直接耦合，也可以理解成步進(jìn)電機(jī)微機(jī)控制器的功率接口。MCU相當(dāng)于是控制電機(jī)的大腦，它向分立器件發(fā)送電機(jī)的步距角時(shí)間、轉(zhuǎn)動方向和重復(fù)次數(shù)等，而分立器件根據(jù)MCU發(fā)出的信號，將放大電壓和電流并將其發(fā)送至電機(jī)，從而驅(qū)動電機(jī)轉(zhuǎn)動。
有刷電機(jī)驅(qū)動核心電路H橋加上一些必要的外圍電路，共同組成直流有刷電機(jī)的驅(qū)動器。集成電路形式的H橋，一般用于中小功率。分立元件形式的H橋，通常用于大功率或者超大功率需求，主要由MOSFET或IGBT晶體管組成。MCU的引腳，無法直接驅(qū)動MOS管等元件，需要加上專用的MOS管驅(qū)動芯片。直流有刷電機(jī)驅(qū)動芯片L298N，內(nèi)部集成了兩個(gè)H橋。L298N芯片，能夠驅(qū)動4.5V~46V、2A以下電機(jī)，電流峰值輸出達(dá)3A。實(shí)際應(yīng)用中，不能通過交換電源線實(shí)現(xiàn)正轉(zhuǎn)和反轉(zhuǎn)的控制，可以用一個(gè)H橋電路來驅(qū)動電機(jī)。
從以上的作用可以看出，步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動器是一個(gè)非常重要的產(chǎn)品。因此選擇好的MOS管才能保證產(chǎn)品的質(zhì)量。
KIA75NF75場效應(yīng)管漏源擊穿電壓為80V，漏極電流為80A，RDS（ON）參數(shù)為7mΩ（典型值）@VGS=10V，能夠最大限度地減少導(dǎo)電損耗。這款場效應(yīng)管還具備無鉛和綠色設(shè)備的特點(diǎn)，符合環(huán)保要求。它采用了先進(jìn)的技術(shù)，以確保低Rds開啟，減少了導(dǎo)電損耗，使其具備更高的效率。KIA75NF75場效應(yīng)管還具備高雪崩電流的特點(diǎn)，可以在運(yùn)行時(shí)承受更高的沖擊負(fù)載，提供更穩(wěn)定和可靠的性能。
在電源方面，KIA75NF75場效應(yīng)管非常適用于DC-DC轉(zhuǎn)換器。它可以在轉(zhuǎn)換電路中高效地實(shí)現(xiàn)能量轉(zhuǎn)換，并滿足不同應(yīng)用的供電需求。同時(shí)，它還能夠在各種高壓、大電流的場景中保持穩(wěn)定的工作，為整個(gè)系統(tǒng)提供可靠的電源支持。
漏源電壓：80V
漏極電流：80A
柵源電壓：±25V
脈沖漏電流：340A
雪崩能量單脈沖：529MJ
最大功耗：240W
輸入電容：3110PF
輸出電容：445PF
開通延遲時(shí)間：20.4nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：67nS
上升時(shí)間：63ns
下降時(shí)間：43ns
KIA75NF75場效應(yīng)管以其出色的性能和功能，在各種電子設(shè)備中發(fā)揮著重要作用。它的低導(dǎo)通損耗、高雪崩電流和環(huán)保特性使其成為一款理想的選擇，既滿足了能量傳輸?shù)母咝室螅址狭谁h(huán)境保護(hù)的需求。
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