9n50場效應管參數,代換,KIA4750S引腳圖參數-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-02-18
漏源電壓Vds：500V
柵源電壓Vgs：±30V
連續漏極電流Id，Tc=25℃：8A
Rdson-max（@Vgs=10V）：0.8 Ω
Qg-typ：59 nC
功率損耗Pd：53W
KIA4750S場效應管具有穩定可靠的性能，漏源電壓為500V，漏極電流為9.0A，它的RDS(on)為0.7Ω，在VGS = 10 V時能夠產生較低的電阻。這款場效應管還具有低柵電荷特性，能夠最小化開關損耗。此外，它還配備了快速恢復體二極管，加強了其性能表現，KIA4750S封裝形式：TO-252、TO-220，符合RoHS標準，符合環境友好要求。
由于其卓越的性能特點，KIA4750S場效應管廣泛應用于適配器、充電器和smp備用電源等領域。它能夠保持電壓穩定，使電器設備能夠高效、穩定地工作。無論是作為電源適配器，還是用于充電器，KIA4750S場效應管都能夠表現出優異的性能，滿足各種需求。而在smp備用電源中的應用，它能夠保持電源的穩定性，為設備提供持續可靠的電力支持。總而言之，KIA4750S場效應管以其卓越的性能和廣泛的應用領域，成為了當今電子設備中不可或缺的重要組成部分。
漏源電壓：500V
柵源電壓：±30A
漏電流連續：9.0A
脈沖漏極電流：28A
雪崩能量：400mJ
耗散功率：120W
漏源擊穿電壓：500V
柵極閾值電壓：2.0V
輸入電容：960PF
輸出電容：110PF
上升時間：17ns
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