30n50場效應管參數,代換,8150A場效應管30A 500V-KIA MOS管

30n50場效應管參數

漏源電壓Vds：500V

柵源電壓Vgs：±30V

連續(xù)漏極電流Id，Tc=25℃：30A

連續(xù)漏極電流Id，Tc=100℃：18A

功率損耗Pd：300W

導通電阻ID=15A,VGS=10V：Typ:160mΩ，Max 200mΩ

30n50場效應管參數,KNH8150A參數資料

KNH8150A場效應管采用高級平面工藝，漏源電壓500V，漏極電流30A，RDS（ON）=150mΩ（典型值）@VGS=10V；具備低柵極電荷最小化開關損耗，能夠穩(wěn)定可靠地工作，加固多晶硅柵極結構，提供了更高效的性能表現。

KNH8150A場效應管廣泛應用于開關電源、控制器、逆變器等領域，非常穩(wěn)定可靠，能夠替代30n50型號場效應管進行使用，KNH8150A封裝形式：TO-3P。

30n50場效應管參數

30n50場效應管參數,KNH8150A參數

漏源電壓：500V

漏極電流：30A

柵源電壓：±30V

脈沖漏電流：120A

雪崩能量單脈沖：2000MJ

最大功耗：333W

輸入電容：4152PF

輸出電容：506PF

反向傳輸電容：85PF

開通延遲時間：35nS

關斷延遲時間：109nS

上升時間：116ns

下降時間：75ns

30n50場效應管參數,KNH8150A規(guī)格書

30n50場效應管參數

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