NCE4060K,NCE4060參數代換,KND3504A場效應管-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-03-14
漏源電壓（Vdss）：40V
連續漏極電流（Id）（25°C ）：60A(Tc)
柵源極閾值電壓：2.5V @ 250uA
漏源導通電阻：13mΩ @ 20A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）：65W(Tc)
KND3504A場效應管，采用了溝槽功率低壓MOSFET技術，漏極電流70A，漏源擊穿電壓40V，具有低導通電阻，典型值為7.0mΩ；出色的散熱封裝和低RDS（ON）的高密度電池設計，使其在各種應用中表現突出；能夠替代新潔能品牌NCE4060K型號進行使用，封裝形式：TO-252。
漏源電壓：40V
漏極電流：70A
漏源通態電阻(RDS(on))：7.0mΩ
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：270A
雪崩能量單脈沖：110MJ
最大功耗：48W
輸入電容：1760PF
輸出電容：220PF
總柵極電荷：46.5nC
開通延遲時間：5nS
關斷延遲時間：50nS
上升時間：22ns
下降時間：32ns
KND3504A場效應管廣泛應用于各種領域，無論是負載切換、硬開關還是高頻電路，它都能勝任。這款場效應管尤其適用于不間斷電源等領域，在保證穩定供電的同時，有效降低了功率損耗，提高了整體效率。先進的散熱封裝技術，能夠有效散熱，確保器件在長時間高負載運行時不易受損，極大地提升系統的性能和穩定性，為用戶帶來更加可靠的電力保障。
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