1n65場效應(yīng)管,1n65參數(shù)引腳圖,1A 650V,KIA1N65H-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-04-02
KIA1N65H N溝道增強(qiáng)型硅柵功率MOSFET是專為高壓、高速電源開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的理想選擇，在開關(guān)穩(wěn)壓器、開關(guān)轉(zhuǎn)換器、螺線管、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及繼電器驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用中都能發(fā)揮出色的性能。
1n65場效應(yīng)管漏極電流1A，漏源電壓高達(dá)650V，RDS（開）為9.3? @VGS=10V、低柵極電荷僅為5.0nC，提供高堅(jiān)固性和快速切換能力、還具備指定的雪崩能量和改進(jìn)的dv/dt能力，保證了在各種應(yīng)用場景下的穩(wěn)定性和可靠性。封裝形式有TO-252、TO-251和TO-92，滿足不同設(shè)計(jì)需求。KIA1N65H是一款性能優(yōu)越、適用廣泛的MOSFET，能夠在各種高壓、高速電源開關(guān)應(yīng)用中展現(xiàn)出色的表現(xiàn)。
漏源電壓：650V
漏極電流：1A
漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：9.3Ω
柵源電壓：±30V
脈沖漏電流：4.0A
雪崩能量單脈沖：33MJ
最大功耗：28W
輸入電容：120PF
輸出電容：20PF
總柵極電荷：4.8nC
開通延遲時(shí)間：7nS
關(guān)斷延遲時(shí)間：13nS
上升時(shí)間：21ns
下降時(shí)間：27ns
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