電機控制器MOS管,9130場效應管,KNX9130B參數資料-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-06-21
電機控制器專用MOS管KNX9130B采用專有新型平面技術，漏源擊穿電壓300V，漏極電流40A，RDS（ON）=0.12Ω（典型值）@VGS=10V，降低導通損耗，具有低柵極電荷最小化開關損耗、快速恢復體二極管等特性。
KNX9130B場效應管廣泛在DC-DC轉換器、UPS、DC-AC逆變器、SMPS和電機控制領域應用，封裝形式：TO-220、TO-3P，多種選擇方便安裝使用。
漏源電壓：300V
漏極電流：40A
漏源通態電阻(RDS(on))：0.12Ω
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：160A
雪崩能量單脈沖：1154MJ
總功耗：340/380W
總柵極電荷：105nC
輸入電容：2830PF
輸出電容：85PF
開通延遲時間：20nS
關斷延遲時間：55nS
上升時間：15ns
下降時間：18ns
聯系方式：鄒先生
聯系電話：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市福田區金田路3037號金中環國際商務大廈2109
請搜微信公眾號:“KIA半導體”或掃一掃下圖“關注”官方微信公眾號
請“關注”官方微信公眾號:提供 MOS管 技術幫助
免責聲明：本網站部分文章或圖片來源其它出處，如有侵權，請聯系刪除。
