mos管的傳輸特性,傳輸特性曲線介紹-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-11-06
MOS管（場效應晶體管）主要有兩種類型：增強型和耗盡型。增強型MOS管在Ugs電壓為零時，ids=0，即管子完全截止，沒有漏電流；而耗盡型MOS管在Ugs電壓為零時，ids≠0，即管子不完全截止，有漏電流。
增強型和耗盡型MOS管的特性差異
增強型MOS管在Ugs電壓為零時，ids=0，即管子完全截止，沒有漏電流。這種類型的MOS管在關閉狀態下能夠完全阻斷電流，適用于需要完全關閉的電路中。相比之下，耗盡型MOS管在Ugs電壓為零時，ids≠0，即管子不完全截止，有漏電流。這種類型的MOS管在關閉狀態下仍有微小的電流流動，適用于需要持續微小電流的電路中。
MOS管的開啟電壓、直流輸入電阻和漏源擊穿電壓等特性
開啟電壓（VT）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓。標準的N溝道MOS管的開啟電壓約為3～6V，通過工藝改進可以使VT值降到2～3V。
直流輸入電阻（RGS）：在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比。MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。
漏源擊穿電壓（BVDS）：在VGS=0（增強型）的條件下，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS。這個參數決定了MOS管能夠承受的最大漏源電壓，超過此電壓可能會導致器件損壞。
增強型NMOS管輸入輸出特性曲線
輸出特性曲線
開啟電壓 -＞ Ugs(th)
預夾斷軌跡 -＞ Ugd=Ugs(th)=Ugs-Uds -＞ Uds = Ugs - Ugs(th)
1、夾斷區： Ugs ＜ Ugs(th)，此時ld = 0
2、可變電阻區： Ugs＞=Ugs(th)，Uds ＜(Ugs - Ugs(th))，此時ld隨Uds的增大而增大
3、恒流區： Ugs＞=Ugs(th)，Uds ＞= (Ugs - Ugs(th))，此時ld大小僅僅取決于Ugs
輸入特性曲線
Ugs ＜ Ugs(th)時，ld = 0
Ugs ＞ Ugs(th)時，Uds為一常量時，Ugs越大，ld越大
增強型NMOS管應用說明
實際應用時，NMOS管常作低端驅動（下管）與開關使用，此時，MOS管工作在夾斷區與可變電阻區。
夾斷區， ld=0，此時，功率P=ld * Uds=0
可變電阻區，Uds相對很小，功率P=ld*Uds相對也很小
增強型PMOS管輸入輸出特性曲線
輸出特性曲線
開啟電壓： Ugs(th)，為負壓
預夾斷軌跡： Ugd=Ugs(th)=Ugs-Uds -＞ Uds = Ugs - Ugs(th)
1、夾斷區： lUgs| ＜ lUgs(th)|，此時 ld = 0
2、可變電阻區：|Ugs ＞= |Ugs(th)|，|Udsl ＜ (Ugs - Ugs(th)，此時ld隨Uds的增大而增大
3、恒流區： |Ugs| ＞= lUgs(th)，|Udsl ＞ = (Ugs - Ugs(th))，此時ld大小僅僅取決于Ugs
輸入特性曲線
lUgsl ＜ |Ugs(th)|時，ld = 0
lUgsl ＞ |Ugs(th)|時，Uds為一常量時，|Ugs|越大，ld越大
增強型PMOS管應用說明
實際應用時，PMOS管常作高端驅動與開關使用，此時，PMOS管工作在夾斷區與可變電阻區。
夾斷區，ld=0，此時，功率P=ld * Uds = 0
可變電阻區，Uds相對很小，功率P=ld*Uds相對也很小。
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