mos管選型注重的參數(shù),mos管主要參數(shù)-KIA MOS管

mos管主要參數(shù)

使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，一般都要考慮MOS的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等因素。

電壓參數(shù)

漏源擊穿電壓（V(BR)DSS 或 VDSS）

確定電路中可能出現(xiàn)的最大電壓。MOS管的VDSS應(yīng)大于電路中的最大電壓，一般要留出一定的余量，通常為電路最大電壓的1.5倍至 2倍，以確保在任何情況下MOS管都不會(huì)被擊穿。例如，如果電路中的最大電壓為50V，那么選擇的MOS管VDSS可以在75V至100V 左右。

最大柵源電壓

了解驅(qū)動(dòng)電路能夠提供的柵源電壓范圍，確保所選MOS管的VGS能夠在這個(gè)范圍內(nèi)安全工作。同時(shí)，也要考慮到可能出現(xiàn)的電壓波動(dòng)和尖峰，一般選擇VGS高于驅(qū)動(dòng)電壓一定幅度的MOS管，以防止意外情況導(dǎo)致柵源電壓過(guò)高而損壞MOS管。

電流參數(shù)

連續(xù)漏電流(ID)和脈沖漏極電流(IDM)

分析電路中的負(fù)載電流需求。對(duì)于連續(xù)工作的電路，根據(jù)負(fù)載電流大小選擇ID合適的MOS管。通常ID應(yīng)大于電路的最大連續(xù)負(fù)載電流，同樣要留出一定的余量，比如1.2倍至1.5倍。

如果電路中存在脈沖電流，例如在開(kāi)關(guān)電源的啟動(dòng)瞬間或負(fù)載突變時(shí)，需要考慮IDM參數(shù)。確保MOS管能夠承受這些脈沖電流而不損壞。

導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）

對(duì)于功率損耗敏感的應(yīng)用

低導(dǎo)通電阻可以降低MOS管在導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，減少發(fā)熱。在高電流或低電壓應(yīng)用中，如電池供電設(shè)備或高效率電源，應(yīng)選擇導(dǎo)通電阻盡可能小的MOS管。例如，在一個(gè)5V輸入、10A輸出的DC-DC轉(zhuǎn)換器中，導(dǎo)通電阻為10mΩ的MOS管在滿負(fù)荷工作時(shí)的導(dǎo)通損耗為P = I2×RDS(ON) = 102×0.01 = 1W，而如果選擇導(dǎo)通電阻為50mΩ的MOS管，導(dǎo)通損耗將增加到5W，這會(huì)顯著降低電源效率并增加散熱需求。

考慮散熱條件

如果散熱條件有限，更需要選擇低導(dǎo)通電阻的MOS管，以減少發(fā)熱。如果散熱良好，可以在一定程度上放寬對(duì)導(dǎo)通電阻的要求，但仍要綜合考慮效率和成本等因素。

電容參數(shù)

輸入電容(CISS)、輸出電容(COSS)和反向傳輸電容(CRSS)

這些電容參數(shù)會(huì)影響MOS管的開(kāi)關(guān)速度。對(duì)于高頻開(kāi)關(guān)電路，較大的電容會(huì)導(dǎo)致開(kāi)關(guān)時(shí)間延長(zhǎng)，增加開(kāi)關(guān)損耗。因此，在高頻應(yīng)用中，應(yīng)選擇電容較小的MOS管，以提高開(kāi)關(guān)速度和效率。

考慮驅(qū)動(dòng)電路的能力。較大的輸入電容需要更強(qiáng)的驅(qū)動(dòng)能力才能快速充電和放電，否則會(huì)影響開(kāi)關(guān)速度。如果驅(qū)動(dòng)電路的能力有限，應(yīng)選擇輸入電容較小的 MOS 管，以確保能夠正常驅(qū)動(dòng)。

其他參數(shù)

單脈沖雪崩擊穿能量(EAS)

如果電路中可能出現(xiàn)瞬態(tài)過(guò)壓或脈沖電壓，需要考慮MOS管的EAS 參數(shù)。具有較高EAS的MOS管能夠更好地承受這些瞬態(tài)電壓，防止雪崩擊穿。例如，在電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中，電機(jī)的反電動(dòng)勢(shì)可能會(huì)產(chǎn)生較高的瞬態(tài)電壓，此時(shí)選擇具有較高EAS的MOS管可以提高電路的可靠性。

mos管選型注重的參數(shù)

1、最大漏源電壓（V（BR）DSSQ）：這是MOS管在關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，漏極和源極之間所能承受的最大電壓。選擇的MOS管的V（BR）DSS應(yīng)該高于電路中可能出現(xiàn)的最大電壓，通常需要留有一定的裕量。

2、最大漏極電流（ID）：這是MOS管在正常工作條件下能連續(xù)通過(guò)的最大電流。確保所選MOS管的ID大于電路中預(yù)期的最大電流。

3、導(dǎo)通電阻（RDSQ（on)）：當(dāng)MOS管完全導(dǎo)通時(shí)，漏極和源極之間的電阻。RDS（on）越低，MOS管在導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗越小。

4、閾值電壓（VGS（th））：開(kāi)始導(dǎo)通所需的最小柵源電壓。這決定了MOS管的“靈敏度”和驅(qū)動(dòng)要求。

5、柵源擊穿電壓（V（BR）GS）：柵極和源極之間所能承受的最大電壓。確保驅(qū)動(dòng)電路的電壓不會(huì)超過(guò)這個(gè)值。

6、柵極電荷（Qg）：開(kāi)關(guān)過(guò)程中柵極所需的電荷量。低Qg有助于降低開(kāi)關(guān)損耗。

7、輸入電容（Ciss）、輸出電容（Coss）和反向傳輸電容（Crss），這些電容參數(shù)影響MOS管的開(kāi)關(guān)速度和開(kāi)關(guān)損耗。

8、最大功率耗散（PD）：MOS管在一定溫度條件下能安全耗散的最大功率。

9、最大結(jié)溫（Tjmax)：MOS管內(nèi)部能承受的最高溫度。

10、熱阻（ReJC）：MOS管內(nèi)部結(jié)點(diǎn)到外殼的熱阻，影響散熱性能。

11、安全工作區(qū)（SOA）：確保MOS管在瞬態(tài)條件下的安全操作范圍。

12、二次擊穿和熱穩(wěn)定性：確保MOS管在過(guò)載情況下能夠安全運(yùn)行。

13、柵極電壓范圍：確保MOS管的柵極電壓范圍與驅(qū)動(dòng)電路兼容。

14、體二極管特性：對(duì)于驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載或需要續(xù)流路徑的應(yīng)用，體二極管的特性很重要。

15、封裝類型：不同的封裝會(huì)影響散熱能力和安裝方式。

MOS管選型注意事項(xiàng)

一、選用N溝道還是P溝道

低壓側(cè)開(kāi)關(guān)選N-MOS，高壓側(cè)開(kāi)關(guān)選P-MOS。

根據(jù)電路要求選擇確定VDS，VDS要大于干線電壓或總線電床，這樣才能提供足夠的保護(hù)，使MOS管不會(huì)失效。

二、確定額定電流

額定電流應(yīng)是負(fù)載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，設(shè)計(jì)人員必須確保所選的MOS管能承受這個(gè)額定電流即使在系統(tǒng)產(chǎn)生尖峰電流時(shí)。

MOS管并不是理想的器件，因?yàn)樵趯?dǎo)電過(guò)程中會(huì)有電能損耗，這稱之為導(dǎo)通損耗。

MOS管在“導(dǎo)通”時(shí)就像一個(gè)可變電阻，由器件的RDS(ON)所確定，并隨溫度而顯著變化。

器件的功率耗損可由load2xRDS(ON)計(jì)算，由于導(dǎo)通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會(huì)隨之按比例變化。對(duì)MOS管施加的電壓VGS越高，RDS(ON)就會(huì)越小;反之RDS(ON)就會(huì)越高。

三、確定熱要求

器件的結(jié)溫等于最大環(huán)境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積(結(jié)溫=最大環(huán)境溫度+[熱阻x功率耗散】)。根據(jù)這個(gè)方程可解出系統(tǒng)的最大功率耗散，即按定義相等于12xRDS(ON)。

四、決定開(kāi)關(guān)性能

選擇MOS管的最后一步是決定MOS管的開(kāi)關(guān)性能。影響開(kāi)關(guān)性能的參數(shù)有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容。這些電容會(huì)在器件中產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗，因?yàn)樵诿看伍_(kāi)關(guān)時(shí)都要對(duì)它們充電。MOS管的開(kāi)關(guān)速度因此被降低，器件效率也下降。

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