mos管米勒平臺形成原因,米勒平臺改善-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-02-21
mos管米勒平臺形成原因是什么呢？MOS的三個級之間都存在寄生電容：柵極與源極之間的寄生電容為Cgs，漏極與源極之間的寄生電容為Cds，柵極與漏極之間的寄生電容為Cgd。
輸入電容 Ciss = CGS + CGD
當(dāng)漏源短接時，交流信號測得的GS電容即為輸入電容。
輸入電容充電到閾值電壓時，MOSFET開啟。
輸出電容 Coss = CDS + CGD
輸出電容的充放電會產(chǎn)生COSS損耗。
反向傳輸電容 Crss = CGD
反向傳輸電容，也稱為米勒電容，導(dǎo)致米勒平臺。
米勒平臺的本質(zhì)：
當(dāng)MOSFET從截止區(qū)經(jīng)過放大區(qū)轉(zhuǎn)到可變電阻區(qū)時，對應(yīng)其開通過程（反之為關(guān)斷過程）。在放大區(qū)內(nèi)，由于米勒效應(yīng)，隨著Vds下降，CGD電容顯著增大。因此，給CGD電容充電的過程導(dǎo)致了米勒平臺。
米勒效應(yīng)的解釋：
理想放大器中，電抗變換導(dǎo)致電流增大，等效為電抗變小，輸入電抗變小對應(yīng)于電容的增大(Z=1/jwC)。
米勒平臺的危害：使MOS管開啟時上升沿時間變長，MOS管發(fā)熱增多，損耗加大；（開關(guān)損耗增加）。
解決方法
增大驅(qū)動功率，eg：使用MOS管專用驅(qū)動芯片，使用圖騰柱電路。
柵源極之間增加一個電容，增加Cgs，使得MOS管更容易完全導(dǎo)通。
選擇Cgd小的MOS管：在選擇MOS管時，盡量選擇Cgd較小的器件，有助于減少米勒平臺的影響。
縮短驅(qū)動信號布線長度：減少寄生電感導(dǎo)致的米勒平臺震蕩電壓過沖，并選擇合適的柵極驅(qū)動電阻。
使用合適的門極驅(qū)動電阻：通過選擇合適的門極驅(qū)動電阻RG來減緩米勒效應(yīng)的影響。
在GS端并聯(lián)電容：雖然會增加驅(qū)動損耗，但可以有效抑制寄生電壓，防止米勒平臺震蕩。
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