PCPD電源,3403mos管,80a30v場效應管,TO252,KND3403C-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-03-10
KND3403C場效應管漏源擊穿電壓30V，漏極電流80A，極低導通電阻RDS(開啟) 4.5mΩ，可最大限度地降低導通電阻，性能優越；具備低柵極電荷、低反向傳輸電容，快速切換能力和改進的dv/dt能力、100%雪崩測試，確保穩定性和可靠性，廣泛應用于電動工具、BMS、PD電源、PC電源中，封裝形式：TO-252，散熱良好，體積小便于安裝。
漏源電壓：30V
漏極電流：80A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：320A
雪崩能量單脈沖：306MJ
總功耗：83W
閾值電壓：1.6V
總柵極電荷：37.2nC
輸入電容：1972PF
輸出電容：214PF
反向傳輸電容：176PF
開通延遲時間：21nS
關斷延遲時間：62nS
上升時間：16ns
下降時間：12ns
聯系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯系地址：深圳市龍華區英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關注官方微信公眾號
關注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術支持
免責聲明：網站部分圖文來源其它出處，如有侵權請聯系刪除。
