QFN和DFN封裝工藝介紹-KIA MOS管

QFN和DFN封裝

DFN封裝和QFN封裝都是無引腳表面貼裝封裝結(jié)構(gòu)，具有現(xiàn)代底部排放和頂部嵌入式封裝的特點(diǎn)，它們都具有體積小、易于集成、一致性好、小型化、輕量化和薄型化等優(yōu)點(diǎn)，它們的底部通常具有較好的導(dǎo)熱性能，能夠有效地散發(fā)熱量，提高芯片的可靠性和穩(wěn)定性能，兩者均有良好的電氣性能，均勻的信號(hào)傳輸路徑，低功耗。

DFN封裝和QFN封裝的區(qū)別有哪些？

封裝焊盤分布位置不同

DFN封裝的焊盤分布在芯片四周，而QFN封裝的焊盤集中在芯片底部。

焊接結(jié)構(gòu)與底部材料的不同

QFN封裝通常無鉛焊接結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品具有更低電感、低容抗等特點(diǎn)。QFN封裝的底部為一般為銅質(zhì)材料，具有更好的導(dǎo)熱性能和電性能，能夠有效地散發(fā)熱量。

封裝的邊長(zhǎng)范圍不同

DFN封裝的形狀更加纖薄，常用的寬度通常不到1mm，而QFN封裝的邊長(zhǎng)范圍一般在2-7mm之間。

部分應(yīng)用場(chǎng)景不同

DFN封裝在高頻、高速、高精度等需求市場(chǎng)得到廣泛運(yùn)用。在5G通信中的天線體，通常使用DFN封裝器件，醫(yī)療、工業(yè)、汽車等應(yīng)用的傳感器、照明驅(qū)動(dòng)芯片、打印機(jī)傳感器等很多用DFN封裝。

QFN封裝的特性更適用于功率放大器、電池充電管理芯片、自動(dòng)控制設(shè)備類芯片以及娛樂電子產(chǎn)品等，其緊湊的尺寸和高集成度的特性非常實(shí)用。

此外，DFN封裝和QFN封裝的形狀有些許差別，DFN封裝通常管腳分布在封裝體兩邊且整體外觀為矩形，而QFN封裝的管腳分布在封裝體四邊且整體外觀為方形。

QFN和DFN封裝工藝步驟：

芯片切割：使用劃片機(jī)等設(shè)備將芯片從硅晶圓上切割分離出來。

芯片貼裝：將切割下來的芯片粘貼到雙框架芯片封裝的基板上。

引腳連接：通過引腳焊盤將芯片的電路與基板的電路進(jìn)行連接。

模封加工：將雙框架芯片封裝模封在樹脂等材料中，實(shí)現(xiàn)防水、防塵等保護(hù)。

切邊加工：將雙框架芯片封裝的邊緣進(jìn)行切割加工，保證封裝的尺寸和形狀符合要求。

QFN和DFN封裝工藝制程流程：

1.基板制備：選擇合適的基板材料，進(jìn)行表面處理，如防焊處理等。

2.芯片前處理：對(duì)芯片進(jìn)行前處理，包括切割、磨邊、去膠等。

3.焊盤制備：在基板上制備焊盤，常用的方法有電鍍、印刷、噴涂等。

4.芯片定位：將芯片精確定位在基板上，通常采用自動(dòng)化設(shè)備進(jìn)行精確定位。

5.芯片焊接：將芯片與焊盤進(jìn)行焊接，常用的方法有熱壓焊、回流焊等。

6.后處理：對(duì)焊接后的封裝進(jìn)行清洗、檢測(cè)、包裝等后續(xù)處理。

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