適配器mos管,500vmos管,KIA840SB參數(shù)引腳圖-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-04-09
KIA840SB場效應(yīng)管漏源擊穿電壓500V，漏極電流8A，低導通電阻RDS(on)=0.7Ω，最大限度地降低導通電阻，減少損耗；低柵極電荷、開關(guān)速度快，高效可靠；100%雪崩測試、符合RoHS，穩(wěn)定環(huán)保；合理的峰值電流與脈沖寬度曲線，提供優(yōu)越的開關(guān)性能；適用于適配器、電視電源、SMPS電源以及液晶面板電源，封裝形式：TO-263，散熱良好、安裝方便。
漏源電壓：500V
漏極電流：8A
柵源電壓：±20V
脈沖漏電流：28A
雪崩能量單脈沖：400MJ
最大功耗：160W
閾值電壓：3V
總柵極電荷：24nC
輸入電容：960PF
輸出電容：110PF
反向傳輸電容：10PF
開通延遲時間：11nS
關(guān)斷延遲時間：46nS
上升時間：17ns
下降時間：22ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
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